| 发明名称 | 离子敏感场效晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种离子敏感场效晶体管，其具有：一氮化镓/蓝宝石层，用以充当一基板；一a-InN:Mg外延层，沉积于该氮化镓/蓝宝石层上以提供一电流路径；一第一金属接点，沉积于该a-InN:Mg外延层上以提供一漏极接点；一第二金属接点，沉积于该a-InN:Mg外延层上以提供一源极接点；以及一图案化绝缘层，覆盖于该第一金属接点、该第二金属接点及该a-InN:Mg外延层上，其中该图案化绝缘层具有一接触窗口以界定该a-InN:Mg外延层的曝露区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101964360A | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN201010111169.6 | 申请日期 | 2010.02.02 |
| 申请人 | 国立清华大学 | 发明人 | 叶哲良;果尚志 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;G01N27/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周长兴 |
| 主权项 | 一种离子敏感场效晶体管，其具有：一基板；一掺杂镁的氮化铟外延层，沉积于该基板上以提供一电流路径；一第一导电接点，沉积于该InN:Mg外延层上以提供一漏极接点；一第二导电接点，沉积于该InN:Mg外延层上以提供一源极接点；以及一图案化绝缘层，用以覆盖该第一导电接点、该第二导电接点及该InN:Mg外延层，其中该图案化绝缘层具有一接触窗口以界定该InN:Mg外延层的曝露区域。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市光复路2段101号 | ||