| 发明名称 | 使用非接触印刷工艺在半导体衬底中形成掺杂区域的方法以及使用非接触印刷来形成该掺杂区域的含掺杂剂的墨水 | ||
| 摘要 | 提供一种使用非接触印刷工艺在半导体衬底中形成掺杂区域的方法以及一种用于使用非接触印刷工艺形成该掺杂区域的含掺杂剂墨水。在一个示例性实施方案中，提供一种在半导体衬底中形成掺杂区域的方法。该方法包括提供包含既定导电类型掺杂剂的墨水，使用非接触印刷工艺将墨水施加至半导体衬底，以及使半导体衬底经受热处理，以使得既定导电类型掺杂剂扩散进入半导体衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN101965628A | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN200980102659.5 | 申请日期 | 2009.02.24 |
| 申请人 | 霍尼韦尔国际公司 | 发明人 | R·Y·梁;D·周;W·范 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘锴;林毅斌 |
| 主权项 | 一种用于在半导体衬底中形成掺杂区域的方法，该方法包括以下步骤：提供包含既定导电类型掺杂剂的墨水；使用非接触印刷工艺将墨水施加至所述半导体衬底；以及使所述半导体衬底经受热处理，以使得既定导电类型掺杂剂扩散进入所述半导体衬底。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||