| 发明名称 | 刻蚀图形的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀图形的形成方法，该方法包括：提供半导体衬底；利用化学气相沉积的方式在所述半导体衬底上形成氧化硅层；利用去离子水清洗所述氧化硅层；在所述氧化硅层上形成六甲基二硅氮烷层；在所述六甲基二硅氮烷层上形成光刻胶层；利用曝光和显影工艺形成图案化光刻胶层；以所述图案化光刻胶层为掩膜，湿法刻蚀所述氧化硅层以形成刻蚀图形。本发明可避免出现底切缺陷，有利于提高半导体器件的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN101964307A | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN201010241601.3 | 申请日期 | 2010.07.30 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 郭国超 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种刻蚀图形的形成方法，包括：提供半导体衬底；利用化学气相沉积的方式在所述半导体衬底上形成氧化硅层；利用去离子水清洗所述氧化硅层；在所述氧化硅层上形成六甲基二硅氮烷层；在所述六甲基二硅氮烷层上形成光刻胶层；利用曝光和显影工艺形成图案化光刻胶层；以所述图案化光刻胶层为掩膜，湿法刻蚀氧化硅层以形成刻蚀图形。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 | ||