一种可减小等离子损伤效应的MOS电容

摘要

本发明提供了一种可减小等离子损伤效应的MOS电容，制作在硅衬底上，其具有栅极以及设置在金属层中且与栅极连接的栅极金属垫。现有技术中栅极金属垫中无金属跳线，随着最小特征尺寸和栅氧厚度的不断减小，制造栅极金属垫时易因等离子损伤效应而在栅氧化层上产生等离子损伤，故对MOS电容的质量和可靠性产生不良影响。本发明中的栅极金属垫从其第一层导线处分离为上下两部分，且其第一层导线分离为分别与该上下两部分连接的第一和第二导线段，金属跳线跨设在该第一和第二导线段间。采用本发明可大大提高MOS电容的质量和可靠性。

主权项

一种可减小等离子损伤效应的MOS电容，制作在硅衬底上，其具有栅极以及设置在金属层中且与栅极连接的栅极金属垫，所述栅极金属垫P包括至下而上设置的第一层导线、第二层导线直至顶层导线，相邻层导线之间电连接，金属层包括至下而上设置的第一层金属、第二层金属直至顶层金属，该栅极金属垫的第一层导线位于金属层的第一层金属中，其特征在于，该栅极金属垫的第一层导线分离为第一和第二导线段，该第一导线段与该栅极金属垫的第二层导线电连接，该第二导线段与所述栅极电连接，所述MOS电容还包括金属跳线，所述金属跳线跨设在该第一和第二导线段间使得第一和第二导线段间形成电连接。