发明名称 一种利用激光诱导铝热反应制备太阳电池背面点接触电极的方法
摘要 本发明公开了一种利用激光诱导铝热反应制备太阳电池背面点接触电极的方法,该方法首先在硅基体的背面镀钝化介质层,然后在钝化介质层上蒸镀铝层,再在铝层上印刷或涂敷铝热剂,然后用激光辐照点燃铝热剂,引发铝热反应产生高温,从而使铝层与硅基体熔融后结晶,最终形成良好的欧姆接触和铝背场。本发明采用激光间接烧结电极的方式,即用激光来诱导铝热剂的自发反应,反应产生的高温促使铝与硅片形成良好的欧姆接触,这样制得的太阳电池有较小的串联电阻;同时形成铝背场,制得的太阳电池有较大的短路电流。采用本发明的工艺,激光没有直接辐照在金属膜上面,对硅片的损伤减少到最低,进一步提高太阳电池的短路电流。
申请公布号 CN101546790B 申请公布日期 2011.02.02
申请号 CN200910038945.1 申请日期 2009.04.24
申请人 中山大学 发明人 沈辉;张陆成;陈达明
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人 李海波
主权项 一种利用激光诱导铝热反应制备太阳电池背面点接触电极的方法,其特征在于,首先在硅基体的背面镀钝化介质层,然后在钝化介质层上蒸镀铝层,再在铝层上印刷或涂敷铝热剂,然后用激光辐照点燃铝热剂,引发铝热反应产生550℃以上的高温,从而使铝层与硅基体熔融后结晶,最终形成欧姆接触和铝背场。
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