一种基于KTN晶体的变焦透镜的轴向随机扫描方法

摘要

本发明公开了一种基于KTN晶体的变焦透镜的轴向随机扫描方法，包括如下步骤：提供一种长方体KTN晶体，所述长方体KTN晶体包含Ta和Nb，其中Ta的重量百分比在所述长方体KTN晶体1的两个相对表面之间线性变化；在所述两个相对表面各镀上一电极层，在所述两个相对表面的电极层上施加一电压；将入射波前垂直入射到所述长方体KTN晶体的其他表面，所述长方体KTN晶体对所述入射波前进行折射并聚焦，其中所述入射波前为平面波；改变施加在所述两个相对表面的电极层上的电压，进而改变所述长方体KTN晶体对所述入射波前聚焦的焦距。本方法扫描范围理论上可以达到500μm，可运用于神经元和神经回路功能的研究。

主权项

一种基于KTN晶体的变焦透镜的轴向随机扫描方法，包括如下步骤：提供一种长方体KTN晶体，所述长方体KTN晶体包含Ta和Nb，其中Ta的重量百分比在所述长方体KTN晶体1的两个相对表面之间线性变化；在所述两个相对表面各镀上一电极层，在所述两个相对表面的电极层上施加一电压；将入射波前垂直入射到所述长方体KTN晶体的其他表面，所述长方体KTN晶体对所述入射波前进行折射并聚焦，其中所述入射波前为平面波；改变施加在所述两个相对表面的电极层上的电压，进而改变所述长方体KTN晶体对所述入射波前聚焦的焦距。