一种二氧化二氧化硅牺牲层释放系统

摘要

本实用新型公开了一种二氧化二氧化硅牺牲层释放系统，该系统利用六氟化氙为反应性刻蚀气体，二氧化碳为辅助刻蚀气体。六氟化氙化学性质非常活泼，是强氧化剂和氟化剂。利用六氟化氙进行牺牲层释放是在无等离子环境中进行的，因此不会对硅片和微结构造成损伤。与传统的牺牲层释放方法相比，该方法设备简单，刻蚀速率较快，刻蚀后的表面光滑度高。二氧化碳作为辅助刻蚀气体，一方面调节气路气体混合比，提高安全性；另一方面利用二氧化碳在迅速减压时容易形成干冰的特点，对硅片进行物理辅助刻蚀，调节刻蚀速率。

主权项

一种二氧化二氧化硅牺牲层释放系统，其特征在于，该系统包括：提供辅助性气体二氧化碳的CO2源，利用其在迅速减压时容易形成干冰的特点，对硅片进行物理辅助刻蚀；提供六氟化氙气体作为反应性刻蚀气体的XeF6源；控制CO2和XeF6的流量、调节气体CO2和XeF6的混合比的XeF6流量控制阀(2)和CO2流量控制阀(1)；反应腔室(7)，高压混合气体中的XeF6在反应腔(7)中对二氧化硅牺牲层进行腐蚀；对反应腔室(7)抽真空使混合气体进入反应腔室(7)具有很高的动能，同时可以把反应腔室(7)中反应生成的挥发性物质排出的真空泵(4)；对尾气进行处理避免污染环境的一级尾气处理系统(9)；以及实现气、液、渣的分离和二氧化碳纯化的二级尾气处理系统(10)；其中，CO2源通过CO2流量控制阀(1)连接于反应腔室(7)，XeF6源通过XeF6流量控制阀(2)连接于反应腔室(7)，而反应腔室(7)、真空泵(4)、一级尾气处理系统(9)和二级尾气处理系统(10)依次连接，在反应腔室(7)中反应生成的挥发性物质被真空泵(4)抽出后依次通过一级尾气处理系统(9)和二级尾气处理系统(10)排出。