金属氧化半导体晶体管与其制造方法

摘要

本发明涉及一种MOS晶体管及其制造方法，MOS晶体管包括具有第一导电型的深井区、具有第二导电型的基体区、具有第一导电型的源极、具有第一导电型之漏极、栅极结构、第一场氧化层与场电极；深井区位于基底中；基体区位于深井中；源极位于基体区中；漏极位于深井区中，且位于基体区之外；栅极结构位于源极与漏极之间，并覆盖基体区的部份与深井区的部份；第一场氧化层覆盖邻接基体区的部份深井区，且第一场氧化层所覆盖的深井区与栅极结构所覆盖的深井区相距一预定距离；场电极电性连接源极，并且至少覆盖部份第一场氧化层。本发明可有效抑制横向穿透崩溃的发生，进而保护MOS晶体管周边元件不受损坏。

主权项

一种金属氧化半导体晶体管，其特征在于，所述金属氧化半导体晶体管包括：具有第一导电型的一深井区，位于一基底中；具有第二导电型的一基体区，位于所述深井区中；具有第一导电型的一源极，位于所述基体区中；具有第一导电型的一漏极，位于所述深井区中，且位于所述基体区之外；一栅极结构，位于所述源极与所述漏极之间，并覆盖所述基体区的部分与该深井区的部分；一第一场氧化层，覆盖邻接所述基体区的部份所述深井区，且所述第一场氧化层所覆盖的所述深井区与所述栅极结构所覆盖的所述深井区相距一预定距离；以及一场电极，电性连接所述源极且至少覆盖部份所述第一场氧化层。