| 发明名称 | 空气隧道浮栅存储单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种空气隧道浮栅存储单元，包括将空气隧道限定在衬底上，将第一多晶硅层(浮栅)限定在空气隧道上，将氧化物层沉积在第一多晶硅层上，使得氧化物层覆盖第一多晶硅层，并且限定空气隧道的侧壁，将第二多晶硅层作为字线限定在氧化物层上。本发明也公开了一种制造空气隧道浮栅存储单元的方法，将牺牲层形成在衬底上，将第一多晶硅层形成在牺牲层上，将氧化物层沉积在第一多晶硅层上，使得氧化物层覆盖第一多晶硅层，并且限定牺牲层的侧壁，使用热磷酸(H3PO4)浸泡以蚀刻牺牲层，形成空气隧道。 | ||
| 申请公布号 | CN101964358A | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN201010271590.3 | 申请日期 | 2006.05.12 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吕函庭;赖二琨;谢光宇 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种浮栅存储单元，包括：衬底；空气隧道，限定在该衬底之上；第一多晶硅层，限定在该空气隧道之上；以及氧化物层，限定在该第一多晶硅层之上，使得该氧化物层覆盖该第一多晶硅层并且限定该空气隧道的侧壁。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||