发明名称 |
一种外延层具有连续孔洞的氮化镓基高亮度发光二极管 |
摘要 |
本实用新型公开的一种外延层具有连续孔洞的氮化镓基高亮度发光二极管,在蓝宝石衬底上外延生长一由N型电极接触层、发光区层、P型电极接触层层叠构成的外延层;在外延层上连接一导电层,导电层上连接一P电极,N型电极接触上连接一N电极;外延层底面及侧面上设有若干个向内延伸的连续孔洞;在外延层中设置周期性排列的连续孔洞,不仅可减少光线在发光二极管内部的全反射,还可以增加出光,提高出光效率。 |
申请公布号 |
CN201732808U |
申请公布日期 |
2011.02.02 |
申请号 |
CN201020199427.6 |
申请日期 |
2010.05.13 |
申请人 |
厦门市三安光电科技有限公司 |
发明人 |
林素慧;郑建森;林科闯 |
分类号 |
H01L33/20(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 |
厦门原创专利事务所 35101 |
代理人 |
徐东峰 |
主权项 |
一种外延层具有连续孔洞的氮化镓基高亮度发光二极管,在蓝宝石衬底上外延生长一由N型电极接触层、发光区层、P型电极接触层层叠构成的外延层;在外延层上连接一导电层,导电层上连接一P电极,N型电极接触层上连接一N电极;其特征在于:外延层底面及侧面上设有若干个向内延伸的连续孔洞。 |
地址 |
361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 |