| 发明名称 | 高压元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高压元件，包括：半导体基板；第一阱区，位于上述半导体基板中，上述第一阱区具有第一导电类型；第二阱区，位于上述半导体基板中，且相邻于上述第一阱区，上述第二阱区具有相反于上述第一导电类型的第二导电类型；场效应环状物，形成于一部分上述第一阱区上，其中上述场效应环状物的顶面包括至少一个曲面凹陷，上述场效应环状物具有上述第二导电类型；场效应电介质区，形成于一部分上述场效应环状物上，且延伸至上述第一阱区；栅极结构，形成于一部分上述场效应电介质区上，且延伸至一部分上述第二阱区。本发明能够增加元件击穿电压，同时维持导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN101252147B | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN200710162197.9 | 申请日期 | 2007.12.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蒋柏煜;黄宗义;陈富信;李定邦;巫宗晔 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 一种高压元件，包括：半导体基板；第一阱区，位于该半导体基板中，该第一阱区具有第一导电类型；第二阱区，位于该半导体基板中，且相邻于该第一阱区，该第二阱区具有相反于该第一导电类型的第二导电类型；场效应环状物，形成于一部分该第一阱区上，其中该场效应环状物的顶面包括至少两个邻近的曲面凹陷，该场效应环状物具有该第二导电类型；场效应电介质区，形成于一部分该场效应环状物上，且延伸至该第一阱区，其中该场效应电介质区连接至少两个邻近的该曲面凹陷；以及栅极结构，形成于一部分该场效应电介质区上，且延伸至一部分该第二阱区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||