发明名称 |
带辅助布线的电极基体的制造方法 |
摘要 |
本发明为了有效地实施辅助布线形成用层压体和透明导电膜的布图,提供通过光蚀刻法在透明导电膜上实施布图时,抑制对透明导电膜用蚀刻剂的辅助布线的腐蚀,获得辅助布线以及透明带辅助布线的电极基体的制造方法。带辅助布线的电极基体的制造方法,它是对于基体上具有透明导电膜和图案化的辅助布线的基体,通过光刻蚀法在透明导电膜上以平面状实施布图的带辅助布线的电极基体的制造方法,其特征为所述辅助布线从基体侧依次包含以Al或A1合金为主要成分的导体层以及覆盖层,未由光致抗蚀剂被覆的所述辅助布线在宽度方向的露出为4μm以下,且用于所述透明导电膜的蚀刻的蚀刻剂为非氧化性的酸。 |
申请公布号 |
CN101277564B |
申请公布日期 |
2011.02.02 |
申请号 |
CN200810087962.X |
申请日期 |
2008.03.25 |
申请人 |
旭硝子株式会社 |
发明人 |
蛭间武彦 |
分类号 |
G09G3/30(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I |
主分类号 |
G09G3/30(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
刘多益 |
主权项 |
带辅助布线的电极基体的制造方法,它是对于基体上具有透明导电膜和图案化的辅助布线的基体,通过光刻蚀法在透明导电膜上以平面状实施布图的带辅助布线的电极基体的制造方法,其特征在于,所述辅助布线从基体侧依次包含以Al或Al合金为主要成分的导体层、以及覆盖层,未由光致抗蚀剂被覆的所述辅助布线在宽度方向的露出为4μm以下,且用于所述透明导电膜的蚀刻的蚀刻剂为非氧化性的酸。 |
地址 |
日本东京 |