| 发明名称 | 栅氧化硅层氮元素掺入方法及栅氧化硅层结构制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种栅氧化硅层氮元素掺入方法，包括：在形成栅氧化硅层的主氧化过程或退火过程中通入气体流量比例为1∶3的N2和O2，在形成的氧化硅层上形成氮氧化硅层，使得氮元素扩散至栅氧化硅层。本发明提供的栅氧化硅层氮元素掺入方法采用特定比例的N2和O2的混合气氛代替N2O，使得在不具备单独N2O供应系统的高温炉内的可有效实现栅氧化硅层的氮元素掺入。相比于单纯在惰性气体中进行的退火工艺，采用在此种特殊混合气氛的工艺条件下进行的退火具有更低的热预值，并且边氧化边退火的工艺使形成的栅氧化硅层的质量和致密度更佳。 | ||
| 申请公布号 | CN101964305A | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN200910055380.8 | 申请日期 | 2009.07.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邓都;汤舍予;刘理想 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种栅氧化硅层氮元素掺入方法，包括：在形成栅氧化硅层的主氧化过程或退火过程中通入气体流量比例为1∶3的N2和O2，在形成的氧化硅层上形成氮氧化硅层，使得氮元素扩散至栅氧化硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||