| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供不会增大存储比多值区域少的位的区域的存储容量，可高速写入并可延长制品的寿命的半导体存储装置。本半导体存储装置包括在1个单元存储n位(n是2以上的自然数)的数据的多个存储单元。多个存储单元内，在第1区域MLB的存储器MLC存储h(h≤n)位的数据，在第2区域SLB的存储器SLC存储i(i＜h)位的数据，在第2区域SLB的存储单元的改写次数达到规定值时，不在第2区域SLB的存储单元进行写入，在第1区域MLB的存储器存储i位的数据。 | ||
| 申请公布号 | CN101964208A | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN201010231412.8 | 申请日期 | 2010.07.16 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 柴田昇;金箱和范 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 陈海红;刘瑞东 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置，包括在1个单元存储n位(n是2以上的自然数)的数据的多个存储单元，其特征在于，上述多个存储单元内，在第1区域的存储单元存储h(h≤n)位的数据，在第2区域的存储单元存储i(i＜h)位的数据，在上述第2区域的存储单元的改写次数达到规定值时，在上述第2区域的存储单元不进行写入，在上述第1区域的存储单元存储i位的数据。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||