发明名称 具有带功率半导体构件的夹层件的功率半导体模块
摘要 本发明介绍了一种具有带功率半导体构件的夹层件的功率半导体模块,该功率半导体模块具有至少一个第一负载连接体和至少一个第二负载连接体,并具有至少一个布置在第一负载连接体与第二负载连接体之间的夹层件,该夹层件具有第一金属成型体、功率半导体构件和第二金属成型体。在这里,夹层件的部件彼此以材料配合的方式相连接,并且功率半导体构件的边缘区域由电绝缘的并且高导热性的聚合物材料包围。在这里,重要的是,聚合物材料与第一金属成型体或者第二金属成型体中的至少一个导热地接触。该功率半导体模块具有改良的内部结构,由此,改善了从功率半导体构件的散热。
申请公布号 CN101964331A 申请公布日期 2011.02.02
申请号 CN201010235321.1 申请日期 2010.07.22
申请人 赛米控电子股份有限公司 发明人 克里斯蒂安·约布尔;汤姆斯·施托克迈尔
分类号 H01L23/367(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I 主分类号 H01L23/367(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 车文;樊卫民
主权项 功率半导体模块(1),具有至少一个第一负载连接体(10)和至少一个第二负载连接体(20),并具有至少一个布置于所述第一负载连接体(10)与所述第二负载连接体(20)之间的夹层件(40),所述夹层件(40)具有第一金属成型体(42)、功率半导体构件(44)和第二金属成型体(46);其中,所述夹层件(40)的部件彼此材料配合地相连接,并且所述功率半导体构件的边缘区域(440、442、444)由电绝缘的并且高导热性的聚合物材料(80)包围,并且其中,所述聚合物材料(80)与所述第一金属成型体(10)或者所述第二金属成型体(20)中的至少一个导热地接触。
地址 德国纽伦堡