充电构件的磁粒子及包含磁粒子的电子照相装置、处理卡匣、成像方法

摘要

一种接触电子照相光敏构件并根据施加的电压将电子照相光敏构件充电之充电机构的磁粒子成为以下化学式（１）所代表之铁氧体成分的粒子：(Fe2O3)x(A)y(B)z (1)，其中Ａ代表选自由Ｌｉ2Ｏ，ＭｎＯ，ＭｇＯ 所组成之群类中的至少一金属氧化物成分，Ｂ代表异于Ａ的至少一金属氧化物成分；Ｘ，Ｙ，Ｚ代表莫耳比且满足以下条件：０．２< Ｘ <０．９５，０．０１< Ｙ <０．５，Ｘ＋Ｙ≦１，０≦ Ｚ<０．７９。磁粒子显示绝佳充电性能，特别是在注入充电，而不造成诸如光敏构件之污损或针孔泄漏的困难。

主权项

1.一种充电机构的磁粒子,接触电子照相光敏构件,根据施加的电压将电子照相光敏构件充电,包括以下化学式(1)所代表的铁氧体成分:(Fe2O3)x(A)y(B)z (1),其中A代表选自由Li2O,MnO,MgO所组成之群类中的至少一金属氧化物成分,B代表选自由Na2O,K2O,CaO,SrO,Al2O3,SiO3,Bi2O3所组成之群类中的至少一金属氧化物成分;X,Y,Z代表莫耳比且满足以下条件:0.2Z。5.如申请专利范围第1项的磁粒子,其中磁粒子的平均粒子尺寸为5-100m。6.如申请专利范围第1或4项的磁粒子,其中光敏构件具有包括电荷注入层的表面层。7.如申请专利范围第6项的磁粒子,其中电荷注入层的体积电阻系数为1108-11015ohmcm。8.一种电子照像装置,包括:电子照相光敏构件及依序与光敏构件相对的充电机构,曝光机构,显影机构,其中充电机构包含具有磁粒子且可接触光敏构件的充电构件,根据接收的电压将光敏构件充电,磁粒子包括以下化学式(1)所代表的铁氧体成分:(Fe203)x(A)y(B)z (1),其中A代表选自由Li2O,MnO,MgO所组成之群类中的至少一金属氧化物成分,B代表选自由Na2O,K2O,CaO,SrO,Al2O3,SiO3,Bi2O3所组成之群类中的至少一金属氧化物成分;X,Y,Z代表莫耳比且满足以下条件:0.2Z。12.如申请专利范围第8项的装置,其中磁粒子的平均粒子尺寸为5-100m。13.如申请专利范围第8或11项的装置,其中光敏构件具有包括电荷注入层的表面层。14.如申请专利范围第13项的装置,其中电荷注入层的体积电阻系数为1108-11015ohmcm。15.一种处理卡匣,包括:电子照相光敏构件,充电机构,选自显影机构和清洁机构的至少一构件,其中充电机构包含具有磁粒子且可接触光敏构件的充电构件,根据接收的电压将光敏构件充电,磁粒子包括以下化学式(1)所代表的铁氧体成分:(Fe203)x(A)y(B)z (1),其中A代表选自由Li2O,MnO,MgO所组成之群类中的至少一金属氧化物成分,B代表选自由Na2O,K2O,CaO,SrO,AL2O3,SiO3,Bi2O3所组成之群类中的至少一金属氧化物成分;X,Y,Z代表莫耳比且满足以下条件:0.2Z。19.如申请专利范围第15项的处理卡匣,其中磁粒子的平均粒子尺寸为5-100m。20.如申请专利范围第15或18项的处理卡匣,其中光敏构件具有包括电荷注入层的表面层。21.如申请专利范围第20项的处理卡匣,其中电荷注入层的体积电阻系数为1108-11015ohmcm。22.一种成像方法,包括下列步骤:将电压施于包括磁粒子且接触电子照相光敏构件的充电构件以将光敏构件充电,将充电的光敏构件曝光,在光敏构件上形成静电影像,将静电影像显影,其中磁粒子包括以下化学式(1)所代表的铁氧体成分:(Fe203)x(A)y(B)z (1),其中A代表选自由Li2O,MnO,MgO所组成之群类中的至少一金属氧化物成分,B代表选自由Na2O,K2O,CaO,SrO,AL2O3,SiO3,Bi2O3所组成之群类中的至少一金属氧化物成分;X,Y,Z代表莫耳比且满足以下条件:0.2Z。26.如申请专利范围第22项方法,其中磁粒子的平均粒子尺寸为5-100m。27.如申请专利范围第22或25项的方法,其中光敏构件具有包括电荷注入层的表面层。28.如申请专利范围第27项的方法,其中电荷注入层的体积电阻系数为1108-11015ohmcm。图示简单说明:图一显示本发明之成像装置的实施例。图二显示测量适用于本发明之磁粒子体积电阻系数的装置。