发明名称 |
TFT-LCD阵列基板及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上并限定了像素区域的第一栅线、第二栅线和数据线,像素区域内形成有像素电极、具有相同寄生电容的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,在第一栅线向第一薄膜晶体管提供开启电压时,第二栅线向第二薄膜晶体管提供第一电压,在第一栅线向第一薄膜晶体管提供关断电压时,第二栅线向第二薄膜晶体管提供第二电压,开启电压-关断电压=第二电压-第一电压。本发明通过采用双栅线和双薄膜晶体管结构,且两个薄膜晶体管的寄生电容相同,使充电完成时两个寄生电容存储电荷的变化量大小相等,符号相反,从而像素电极上的电荷变化量为0,有效消除了像素电极的跳变电压。 |
申请公布号 |
CN101963723A |
申请公布日期 |
2011.02.02 |
申请号 |
CN200910089751.4 |
申请日期 |
2009.07.22 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
薛海林;林炳仟;徐宇博;李成 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
曲鹏 |
主权项 |
一种TFT‑LCD阵列基板,其特征在于,包括形成在基板上并限定了像素区域的第一栅线、第二栅线和数据线,所述像素区域内形成有像素电极、具有相同寄生电容的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,在所述第一栅线向第一薄膜晶体管提供开启电压时,所述第二栅线向第二薄膜晶体管提供第一电压,在所述第一栅线向第一薄膜晶体管提供关断电压时,所述第二栅线向第二薄膜晶体管提供第二电压,开启电压‑关断电压=第二电压‑第一电压。 |
地址 |
100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 |