发明名称 | 基于同轴光纤的二次谐波产生器 | ||
摘要 | 本发明涉及一种基于同轴光纤的二次谐波产生器。它包括同轴光纤,同轴光纤通过模式耦合结构和非线性相位匹配结构构成二次谐波产生器。本发明是基于同轴光纤的二次谐波产生器,具有结构简单、均匀性好、成本低、适合大规模生产,可以与光纤熔接,对全光纤系统有很好的兼容性,适用于光纤通信、光纤激光系统等领域。 | ||
申请公布号 | CN101551570B | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
申请号 | CN200910050356.5 | 申请日期 | 2009.04.30 |
申请人 | 上海大学 | 发明人 | 曾祥龙;郭海润;庞拂飞;陈振宜;王廷云 |
分类号 | G02F1/37(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/37(2006.01)I |
代理机构 | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人 | 何文欣 |
主权项 | 基于同轴光纤的二次谐波产生器,包括同轴光纤(1),其特征在于所述同轴光纤(1)是具有二阶非线性系数的光纤;所述同轴光纤(1)为双包层结构光纤,或者为多包层结构光纤;所述同轴光纤(1)具有模式耦合结构和非线性相位匹配结构;所述同轴光纤(1)的模式耦合结构是所述同轴光纤(1)的芯层(2)模和包层(3)模之间的模式耦合;所述同轴光纤(1)的非线性相位匹配结构由所述同轴光纤(1)的以下三个相位匹配条件控制:a.当一个基频o光子和一个基频e光子产生一个倍频的o光子或是e光子时,有:Δβ=±κ2ωb.当两个基频o光子产生了一个倍频的o光子或e光子时,有:Δβ=2κ1ω±κ2ωc.当两个基频e光子产生了一个倍频的o光子或e光子,有:Δβ=‑2κ1ω±κ2ω其中Δβ为相位差,κ1ω为基次谐波的耦合系数,κ2ω为二次谐波的耦合系数。 | ||
地址 | 200444 上海市宝山区上大路99号 |