| 发明名称 | 一种磁敏VDMOS器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种磁敏VDMOS器件，包括VDMOS芯片和磁敏电阻，所述VDMOS芯片上设有绝缘介质，所述绝缘介质上设有磁敏电阻。本实用新型既可用外加磁场来控制VDMOS的通断，也可以利用VDMOS导通时产生的磁场来控制VDMOS的导通功率(电流)，去除了外界干扰信号的影响及可高速驱动，不产生任何额外的电能消耗，节约了能源。当温度变化时，此磁敏电阻的阻值也发生变化，因而也可以作为功率VDMOS的温度采样。 | ||
| 申请公布号 | CN201732789U | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN201020246052.4 | 申请日期 | 2010.07.01 |
| 申请人 | 王开 | 发明人 | 王开 |
| 分类号 | H01L27/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州裕阳专利事务所(普通合伙) 33221 | 代理人 | 应圣义 |
| 主权项 | 一种磁敏VDMOS器件，包括VDMOS芯片和磁敏电阻，其特征在于，所述VDMOS芯片上设有绝缘介质，所述绝缘介质上设有磁敏电阻。 | ||
| 地址 | 214062 江苏省无锡市滨湖区蠡湖街道金色江南天景花园42号301室 | ||