发明名称 光电二极管装置及其制造方法
摘要 本发明公开一种光电二极管装置及其制造方法。此光电二极管装置包含吸光层,吸光层定义向光侧与背光侧;导孔穿透吸光层,导孔定义侧壁及底表面;共形绝缘层覆盖侧壁及底表面;第一图案化导电层,设置于吸光层的背光侧,第一图案化导电层具有第一部分覆盖共形绝缘层;第二图案化导电层,设置于吸光层的向光侧;及开口穿透共形绝缘层,其中第二图案化导电层填充开口以使第二图案化导电层连接第一图案化导电层的第一部分。
申请公布号 CN101964325A 申请公布日期 2011.02.02
申请号 CN200910160148.0 申请日期 2009.07.24
申请人 太聚能源股份有限公司 发明人 刘台徽;吴展兴
分类号 H01L21/82(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I 主分类号 H01L21/82(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陶凤波
主权项 一种光电二极管装置的制造方法,包含:提供第一基板;形成吸光层于该第一基板上;形成导孔穿透该吸光层,该导孔暴露该第一基板,该导孔定义侧壁及底表面;形成共形绝缘层覆盖该侧壁及该底表面;形成第一图案化导电层于该第一基板上,该第一图案化导电层具有第一部分覆盖该共形绝缘层;提供第二基板;将该第二基板连接该第一图案化导电层;移除该第一基板以暴露该共形绝缘层;形成开口穿透该共形绝缘层以暴露出该第一图案化导电层的该第一部分;及形成第二图案化导电层于该吸光层上,其中该第二图案化导电层填充该开口以使该第二图案化导电层连接该第一图案化导电层的该第一部分。
地址 中国台湾新竹县