| 发明名称 | 半导体光调制器 | ||
| 摘要 | 提供一种具有n-i-n结构半导体光调制器的特点、又能稳定工作，而且对电场的耐压性优良的半导体光调制器。其包括依次层叠n型InP包层(11)、具有电光效应的半导体芯层(13)、p-InAlAs层(15)、以及n型InP包层(16)而形成的波导结构。p-InAlAs层(15)的电子亲和力小于n型InP包层(16)的电子亲和力。在如此构成的波导结构中，还可以分别在n型InP包层(11)和半导体芯层(13)之间设置未掺杂的InP包层(12)，在半导体芯层(13)和p-InAlAs层(15)之间设置未掺杂的InP包层(14)。 | ||
| 申请公布号 | CN101133355B | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN200680006437.X | 申请日期 | 2006.03.08 |
| 申请人 | 日本电信电话株式会社 | 发明人 | 都筑健;菊池顺裕;山田英一 |
| 分类号 | G02F1/025(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/025(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;方挺 |
| 主权项 | 半导体光调制器，其特征在于，包括：依次层叠第一n型半导体包层、半导体芯层、未掺杂包层、半导体包层和第二n型半导体包层而形成的波导结构，所述半导体包层的电子亲和力小于所述第二n型半导体包层的电子亲和力，并且所述半导体包层对空穴的势能小于所述未掺杂包层对空穴的势能。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||