| 主权项 |
一种浅沟渠隔离结构的制作方法，包括：提供一基底；于该基底上依序形成一图案化垫层与一图案化罩幕层；以该图案化罩幕层与该图案化垫层为罩幕，移除部分该基底，以于该基底中形成一沟渠；于该沟渠中形成一第一绝缘层；于该基底上共形地形成一保护层；于该第一绝缘层上方的该保护层上形成一第二绝缘层；移除该图案化罩幕层与该图案化垫层，其中在移除该图案化罩幕层与该图案化垫层的过程中，该第一绝缘层未被暴露出来；以及移除部分该保护层与该第二绝缘层。如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制作方法，其中该保护层的材料包括氮氧化矽。如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制作方法，其中移除部分该保护层与该第二绝缘层的方法包括湿式蚀刻制程。如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制作方法，其中在形成该第一绝缘层之后以及形成该保护层之前，更包括进行湿式蚀刻制程。如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制作方法，其中在形成该第二绝缘层之后以及移除该图案化罩幕层与该图案化垫层之前，更包括进行湿式蚀刻制程。如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制作方法，其中该第一绝缘层的形成方法包括：于该基底上形成一绝缘材料层；以及以该图案化罩幕层为研磨终止层，进行一化学机械研磨制程。如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制作方法，其中该第二绝缘层的形成方法包括：于该基底上形成一绝缘材料层；以及以该图案化罩幕层为研磨终止层，进行一化学机械研磨制程。如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制作方法，其中该图案化垫层的材料包括氧化矽。如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制作方法，其中该图案化垫层的形成方法包括热氧化法。如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制作方法，其中该图案化罩幕层的材料包括氮化矽。如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制作方法，其中该第一绝缘层的材料包括氧化矽。如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制作方法，其中该第二绝缘层的材料包括氧化矽。 |
