| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，其包含：液浸移动曝光步骤，该液浸移动曝光步骤系使液体介于被实施曝光处理之被曝光基板与进行上述曝光处理之曝光装置之投影光学系统之间，并且一面使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动，一面对设定于上述被曝光基板之表面上之复数个曝光区域进行上述曝光处理；第一液浸移动步骤，该第一液浸移动步骤系于上述各曝光区域中邻接之上述各曝光区域间，一面使上述液体介于上述被曝光基板与上述投影光学系统之间，一面使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动而不进行上述曝光处理；以及第二液浸移动步骤，该第二液浸移动步骤系于大于上述第一液浸移动步骤中之移动距离之距离中，一面使上述液体介于上述被曝光基板与上述投影光学系统之间，一面以小于上述第一液浸移动步骤中之移动速度的速度使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动而不进行上述曝光处理。如请求项1之半导体装置之制造方法，其中上述第二液浸移动步骤中之上述被曝光基板对于上述投影光学系统之相对移动速度，系小于上述被曝光基板移动时于上述被曝光基板上残留上述液体之速度。如请求项1之半导体装置之制造方法，其中上述液浸移动曝光步骤中之上述被曝光基板对于上述投影光学系统之相对移动速度，系小于上述被曝光基板移动时于上述被曝光基板上残留上述液体之速度。如请求项1之半导体装置之制造方法，其中进一步包含：于上述被曝光基板之被曝光侧之主面上设置光阻膜。如请求项4之半导体装置之制造方法，其中进一步包含：于上述光阻膜上设置疏水性高于该光阻膜之薄膜。一种半导体装置之制造方法，其包含：液浸移动曝光步骤，该液浸移动曝光步骤系使液体介于被实施曝光处理之被曝光基板与进行上述曝光处理之曝光装置之投影光学系统之间，并且一面使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动，一面对设定于上述被曝光基板之表面上之复数个曝光区域进行上述曝光处理；第一液浸移动步骤，该第一液浸移动步骤系于上述各曝光区域中邻接之上述各曝光区域间，一面使上述液体介于上述被曝光基板与上述投影光学系统之间，一面使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动而不进行上述曝光处理；以及第二液浸移动步骤，该第二液浸移动步骤系于大于上述第一液浸移动步骤中之移动距离之距离中，一面使上述液体介于上述被曝光基板与上述投影光学系统之间，一面使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动而不进行上述曝光处理，并且于上述被曝光基板上产生上述液体残留之前，变更上述被曝光基板对于上述投影光学系统之移动速度及移动方向中之至少一者。如请求项6之半导体装置之制造方法，其中于上述第二液浸移动步骤中，上述被曝光基板对于上述投影光学系统之相对移动方向，系相对上述被曝光基板之以前之移动方向于90°~270°之范围内进行变更。如请求项6之半导体装置之制造方法，其中于上述第二液浸移动步骤中，以上述被曝光基板之移动轨迹为折线形状或者蜿蜒形状之方式，设定上述被曝光基板对于上述投影光学系统之相对移动方向。如请求项6之半导体装置之制造方法，其中上述第二液浸移动步骤中之上述被曝光基板对于上述投影光学系统之相对移动速度，小于上述被曝光基板移动时于上述被曝光基板上残留上述液体之速度。如请求项6之半导体装置之制造方法，其中上述液浸移动曝光步骤中之上述被曝光基板对于上述投影光学系统之相对移动速度，小于上述被曝光基板移动时于上述被曝光基板上残留上述液体之速度。如请求项6之半导体装置之制造方法，其中进一步包含：于上述被曝光基板之被曝光侧之主面上设置光阻膜。如请求项11之半导体装置之制造方法，其中进一步包含：于上述光阻膜上设置疏水性高于该光阻膜之薄膜。一种半导体装置之制造方法，包含：液浸移动曝光步骤，该液浸移动曝光步骤系使液体介于被实施曝光处理之被曝光基板与进行上述曝光处理之曝光装置之投影光学系统之间，并且一面使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动，一面对设定于上述被曝光基板之表面上之复数个曝光区域进行上述曝光处理，其中设定上述液体位于上述被曝光基板之周缘部上时上述被曝光基板相对于上述投影光学系统之移动速度，小于上述液体位于上述被曝光基板之周缘部以外时上述被曝光基板相对于上述投影光学系统之移动速度。如请求项13之半导体装置之制造方法，其进而包含：第一液浸移动步骤，该第一液浸移动步骤系于上述各曝光区域中邻接之上述各曝光区域间，一面使上述液体介于上述被曝光基板与上述投影光学系统之间，一面使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动而不进行上述曝光处理；以及第二液浸移动步骤，该第二液浸移动步骤系于大于上述第一液浸移动步骤中之移动距离之距离中，一面使液体介于上述被曝光基板与上述投影光学系统之间，一面以小于上述第一液浸移动步骤中之移动速度的速度使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动而不进行上述曝光处理。如请求项13之半导体装置之制造方法，其进而包含：第一液浸移动步骤，该第一液浸移动步骤系于上述各曝光区域中邻接之上述各曝光区域间，一面使上述液体介于上述被曝光基板与上述投影光学系统之间，一面使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动而不进行上述曝光处理；以及第二液浸移动步骤，该第二液浸移动步骤系于大于上述第一液浸移动步骤中之移动距离之距离中，一面使上述液体介于上述被曝光基板与上述投影光学系统之间，一面使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动而不进行上述曝光处理，并且于上述被曝光基板上产生上述液体残留之前，变更上述被曝光基板相对于上述投影光学系统之移动速度及移动方向中之至少一者。如请求项13之半导体装置之制造方法，其中上述液浸移动曝光步骤中之上述被曝光基板对于上述投影光学系统之相对移动速度，系小于上述被曝光基板移动时上述被曝光基板上残留上述液体之速度。如请求项13之半导体装置之制造方法，其中进一步包含：于上述被曝光基板之被曝光侧之主面上设置光阻膜。如请求项17之半导体装置之制造方法，其中进一步包含：于上述光阻膜上设置疏水性高于该光阻膜之薄膜。如请求项14之半导体装置之制造方法，其中上述第二液浸移动步骤中之上述被曝光基板对于上述投影光学系统之相对移动速度，系小于上述被曝光基板移动时上述被曝光基板上残留上述液体之速度。如请求项15之半导体装置之制造方法，其中上述第二液浸移动步骤中之上述被曝光基板对于上述投影光学系统之相对移动速度，系小于上述被曝光基板移动时上述被曝光基板上残留上述液体之速度。 |
