| 主权项 |
一种半导体结构，包括：一基板；一第一井区，位于该基板上，该第一井区具有一第一导电类型；一第二井区，位于该基板上，该第二井区具有相反于该第一导电类型的一第二导电类型；一第一缓冲区，介于该第一井区和该第二井区之间，其中该第一缓冲区为该第一井区和该第二井区形成的一重叠区；第三井区，位于该基板上，该第三井区具有该第一导电类型；一第二缓冲区，介于该第二井区和该第三井区之间，其中该第二缓冲区介于该第二井区和该第三井区之间的一重叠区；一绝缘区，从该第一井区的一顶面延伸至该第一井区中，其中该第一缓冲区和该第二缓冲区与该绝缘区水平隔开；一闸极介电质，从该第一井区的正上方延伸至该第二井区和该第三井区的正上方；以及一闸极，位于该闸极介电质上。如申请专利范围第1项所述之半导体结构，其中该第一缓冲区和该第二缓冲区的整体位于该闸极介电质的正下方。如申请专利范围第1项所述之半导体结构，其中不与该第一井区和该第三井区的任何一个重叠的该第二井区的一部份系将该第一缓冲区和该第二缓冲区彼此隔开。如申请专利范围第1项所述之半导体结构，其中该第一缓冲区和该第二缓冲区的其中之一的一宽度介于10至3μm之间。如申请专利范围第4项所述之半导体结构，其中该宽度介于0.3μm至3μm之间。如申请专利范围第1项所述之半导体结构，更包括：一汲极区，位于该第一井区中，且邻接该绝缘区；以及一源极区，位于该第三井区中，且邻近该闸极的一边缘。如申请专利范围第1项所述之半导体结构，其中该第一井区和该第三井区的不纯物浓度介于1014ions/cm3至1017ions/cm3之间，且其中该第二井区不纯物浓度介于1014ions/cm3至1017ions/cm3之间。一种半导体结构，包括：一p型基板；一第一n型井区，位于该p型基板上；一p型井区，位于该p型基板上；一第一缓冲区，介于该第一n型井区和该p型井区之间，其中该第一缓冲区为该第一n型井区和该p型井区形成的一重叠区，且其中该第一缓冲区的宽度大于0.3μm；一第二n型井区，位于该p型基板上；一第二缓冲区，介于该第二n型井区和该p型井区之间，其中该第二缓冲区为介于该第二n型井区和该p型井区之间的一重叠区，且其中该第二缓冲区的宽度大于0.3μm，且其中不与该第一n型井区和该第二n型井区的任何一个重叠的该p型井区的一部分系将该第一缓冲区和该第二缓冲区彼此隔开；一绝缘区，从该第一n型井区的一顶面延伸至该第一n型井区中；一闸极介电质，位于部份该第一n型井区的正上方、部分该第二n型井区的正上方以及部份该p型井区的正上方，且位于部分该绝缘区的正上方；以及一闸极，位于该闸极介电质上。如申请专利范围第8项所述之半导体结构，该第一缓冲区和该第二缓冲区与该绝缘区水平隔开。如申请专利范围第8项所述之半导体结构，其中该第一缓冲区和该第二缓冲区的宽度介于0.3μm至3μm之间。如申请专利范围第8项所述之半导体结构，更包括：一汲极区，位于该第一n型井区中，且邻接该绝缘区；以及一源极区，位于该第二n型井区中，且邻近该闸极的一边缘。如申请专利范围第8项所述之半导体结构，其中该第一n型井区和该第二n型井区的不纯物浓度介于1014ions/cm3至1017ions/cm3之间。如申请专利范围第8项所述之半导体结构，其中该p型井区不纯物浓度介于1014ions/cm3至1017ions/cm3之间。一种半导体结构，包括：一第一井区，位于一基板上，该第一井区具有一第一导电类型；一第二井区，位于该基板上，该第二井区具有一第二导电类型，该第二导电类型相反于该第一导电类型；一缓冲区，将该第一井区和该第二井区横向隔开，其中该缓冲区包括来自该第一井区和该第二井区的不纯物，其中该缓冲区的宽度介于0.3μm至3μm之间，且其中该第一井区、该第二井区和该缓冲区从该基板的一顶面延伸至该基板中；一绝缘区，位于一部分该第一井区中，从该第一井区的一顶面延伸至该第一井区中；一闸极介电质，位于该第一井区的正上方、该第二井区的正上方和部份该绝缘区的正上方；以及一闸极，位于该闸极介电质上。如申请专利范围第14项所述之半导体结构，其中该缓冲区的整体位于该闸极介电质和该闸极的正下方且与该闸极介电质和该闸极垂直部分重叠。如申请专利范围第14项所述之半导体结构，其中该缓冲区系藉由部分该第一井区与该绝缘区水平隔开。如申请专利范围第14项所述之半导体结构，更包括：一汲极区，位于该第一井区中，且邻接该绝缘区；以及一源极区，位于该第二井区中，且邻近该闸极的一边缘，其中该汲极区和该源极区具有该第一导电类型。如申请专利范围第14项所述之半导体结构，其中该缓冲区的宽度介于0.3μm至0.5μm之间。如申请专利范围第14项所述之半导体结构，其中该第一导电类型为n型，且该第二导电类型为p型。 |
