| 主权项 |
一种制造一记忆体元件的方法，包含：提供一矽基材；形成一氧化矽/氮化矽/氧化矽(O/N/O)层于该矽基材之上，该氧化矽/氮化矽/氧化矽(O/N/O)层包括一电荷储存区域；形成一复晶矽闸极于该氧化矽/氮化矽/氧化矽(O/N/O)层之上；形成第一及第二绝缘侧壁子分别于该复晶矽闸极之一第一端及一第二端的旁边；离子布植分别形成第一及第二埋藏扩散区域于该矽基板内靠近及介于该第一及第二绝缘侧壁子之间，并形成一离子布植损害区域；热回火该第一及第二埋藏扩散区域，所以使得该第一及第二埋藏扩散区域之间的大致界面被定义，每一该第一及第二埋藏扩散区域之间的大致界面分别位于复晶矽闸极之该第一端及该第二端之正下方，以增加该电荷储存区域与该离子布植损害区域之距离，其中制造该记忆元件可以与一周边元件相结合，藉由分隔该矽基材为一记忆体区域以及一周边区域，同时于该记忆体区域以及该周边区域分别制造该记忆元件以及该周边元件，以及其中该氧化矽/氮化矽/氧化矽(O/N/O)层的形成步骤包括：于该矽基材上沉积一氧化矽/氮化矽/氧化矽(O/N/O)层，该氧化矽/氮化矽/氧化矽(O/N/O)层覆盖该记忆体区域与该周边区域；以及图案化以蚀刻部分属于该周边区域之该氧化矽/氮化矽/氧化矽(O/N/O)层，以准备进行一周边闸氧化层沉积。如申请专利范围第1项之方法，更包含：于热回火该第一及第二埋藏扩散区域后，形成第一及第二氧化区域分别位于该第一及第二绝缘侧壁子的旁边及之间。如申请专利范围第2项之方法，更包含：形成一复晶矽层于该第一及第二氧化区域、该第一及第二绝缘侧壁子、以及该复晶矽闸极之上。如申请专利范围第1项之方法，其中该形成该第一及第二绝缘侧壁子系藉由沉积一顺形绝缘层于该复晶矽闸极之上，且蚀刻部份于该复晶矽闸极之上的该顺形绝缘层达成。如申请专利范围第1项之方法，其中该离子布植分别形成第一及第二埋藏扩散区域系藉由一埋藏扩散布植制程以及一口袋布植制程达成。如申请专利范围第1项之方法，其中该热回火该第一及第二埋藏扩散区域系藉由一快速热回火制程达成。如申请专利范围第1项之方法，其中形成一复晶矽闸极系藉由沉积一复晶矽层于该矽基材之上，利用光阻图案化该复晶矽层，且蚀刻部份未被该光阻所覆盖之该复晶矽层直到露出该氧化矽/氮化矽/氧化矽(O/N/O)层。如申请专利范围第1项之方法，其中每一该第一及第二绝缘侧壁子系由氧化物所形成。如申请专利范围第1项之方法，其中该周边闸氧化层的沉积系藉由沉积一周边闸氧化层于该周边区域的该矽基材之上来达成。如申请专利范围第9项之方法，其中该周边元件系藉由形成一周边复晶矽闸极于该周边闸氧化层之上，且形成第一及第二周边绝缘侧壁子于该周边复晶矽闸极之一第一端及一第二端的旁边来达成。如申请专利范围第1项之方法，其中该记忆元件与该周边元件系由层间介电层所分隔。 |
