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一种形成薄膜电晶体的方法，该薄膜电晶体位于一基板上，该方法包括：形成一矽层于该基板上；对该矽层进行微影、蚀刻制程，以形成一矽图案层；形成一闸极介电层，包覆该矽图案层；形成一第一导电层于该矽图案层上的闸极介电层上；形成一层间介电层于该第一导电层与该闸极介电层上；形成一导电透明氧化物图案层于该层间介电层上；进行一蚀刻步骤，系对该层间介电层与该闸极介电层进行蚀刻；以该导电透明氧化物图案层为罩幕进行一掺杂步骤，系对该矽图案层作一高浓度的掺杂，分别形成一源极及一汲极；以及分别形成接触该源极及该汲极的第二导电层。如申请专利范围第1项所述之形成薄膜电晶体的方法，其中对该矽图案层进行高浓度掺杂的步骤中，其掺杂浓度约为1013~1016ion/cm2。如申请专利范围第1项所述之形成薄膜电晶体的方法，在形成该第一导电层后，更包括一对该矽图案层进行一低浓度的掺杂的步骤。如申请专利范围第3项所述之形成薄膜电晶体的方法，其中，对该矽图案层进行低浓度掺杂的步骤中，该掺杂浓度约为1011~1013ion/cm2。如申请专利范围第3项所述之形成薄膜电晶体的方法，其中，其中对该矽图案层进行低浓度掺杂的步骤，系以离子布植方式进行。如申请专利范围第3项所述之形成薄膜电晶体的方法，其中该对该矽图案层进行低浓度掺杂的步骤中，更包括形成一低浓度掺杂汲极区，且该低浓度掺杂汲极区的宽度由该导电透明氧化物图案之大小所调控。如申请专利范围第1项所述之形成薄膜电晶体的方法，其中该导电透明氧化物图案之材质系为铟锡氧化物、铟锌氧化物或镉锡氧化物。如申请专利范围第1项所述之形成薄膜电晶体的方法，更包括以准分子雷射对该矽层进行熔解再结晶，将其转化成一多晶矽层。如申请专利范围第1项所述之形成薄膜电晶体的方法，其中该矽图案层为一多晶矽层。如申请专利范围第1项所述之形成薄膜电晶体的方法，其中该矽图案层为一非晶矽层。如申请专利范围第1项所述之形成薄膜电晶体的方法，其中，该闸极介电层为一氧化矽层。如申请专利范围第1项所述之形成薄膜电晶体的方法，其中，该闸极介电层为一氮化矽层。 |
