| 主权项 |
一种热交换器，包括：a.一介面层，其中热由一具有一表面的热源转移至一流体；以及b.一与该介面层相连结的歧管层，该歧管层更包括：(i)一第一组流体路径，实质上垂直于该表面，用以将流体导向该介面层；以及(ii)一第二组流体路径，实质上与该表面平行且垂直于该第一组流体路径，用以将流体从介面层移除。如申请专利范围第1项之热交换器，其中更包含一上层，用以将该流体循环进入及离开该歧管层。如申请专利范围第2项之热交换器，其中该上层包含复数突出特性。如申请专利范围第2项之热交换器，其中该上层包含一多孔结构。如申请专利范围第2项之热交换器，其中该上层包含一中央贮水槽，其中该流体从该热交换器的一入口传入。如申请专利范围第1项之热交换器，其中该流体为单相流状态。如申请专利范围第6项之热交换器，其中至少一部分的该流体为二相流状态。如申请专利范围第7项之热交换器，其中至少一部分该流体于该热交换器中经历一单相及二相流状态间的转变。如申请专利范围第1项之热交换器，其中每一流体路径是设置以冷却于该热源中的至少一介面热点区域。如申请专利范围第1项之热交换器，其中该介面层与该热源连结。如申请专利范围第1项之热交换器，其中该介面层与该热源是整合性地形成。如申请专利范围第1项之热交换器，其中该热源是一积体电路。如申请专利范围第1项之热交换器，更包含一沿着该介面层配置的多孔结构。如申请专利范围第1项之热交换器，更包含构成复数微通道以输送流体流动及促进热传递。如申请专利范围第1项之热交换器，更包含沿着该介面层配置的复数微针。一种热交换器，包括：a.一介面层，其中热从一具有一表面的热源传送至一流体；b.一连结至介面层的歧管层，该歧管层更包括：(i)一第一组流体路径，实质上垂直于该表面，用以将流体导向该介面层；以及(ii)一第二组流体路径，实质上与该表面平行且垂直于该第一组流体路径，用以将流体从介面层移除。以及c.一上层，用以将该流体循环进入及离开该歧管层。如申请专利范围第16项之热交换器，其中该上层包含复数突出特性。如申请专利范围第16项之热交换器，其中该上层包含一多孔结构。如申请专利范围第16项之热交换器，其中该上层包含一中央贮水槽，其中该流体从该热交换器的一入口传入。如申请专利范围第16项之热交换器，其中该流体为单相流状态。如申请专利范围第20项之热交换器，其中至少一部分的该流体为二相流状态。如申请专利范围第21项之热交换器，其中至少一部分该流体于该热交换器中经历一单相及二相流状态间的转变。如申请专利范围第16项之热交换器，其中每一流体路径是设置以冷却于该热源中的至少一介面热点区域。如申请专利范围第16项之热交换器，其中该介面层与该热源连结。如申请专利范围第16项之热交换器，其中该介面层与该热源是整合性地形成。如申请专利范围第16项之热交换器，其中该热源是一积体电路。如申请专利范围第16项之热交换器，更包含一沿着该介面层配置的多孔结构。如申请专利范围第16项之热交换器，更包含构成复数微通道以输送流体流动及促进热传递。如申请专利范围第16项之热交换器，更包含沿着该介面层配置的复数微针。一种配置以将流体引导进入及离开一热交换器内之介面层的歧管层，该歧管层包括：a.一第一组流体路径，实质上垂直于该介面层，用以将流体导向该介面层；以及b.一第二组流体路径，实质上与该介面层平行且垂直于该第一组流体路径，用以将流体从介面层移除。如申请专利范围第30项之歧管层，其中该歧管层与一将该流体循环进入及离开该歧管层的上层相连结，该上层包含一中央贮水槽，其中该流体从该热交换器的一入口传入。如申请专利范围第30项之歧管层，其中该介面层与该热源连结。如申请专利范围第30项之歧管层，其中该流体为单相流状态。如申请专利范围第33项之歧管层，其中至少一部分的该流体为二相流状态。如申请专利范围第34项之歧管层，其中至少一部分该流体于该热交换器中经历一单相及二相流状态间的转变。如申请专利范围第32项之歧管层，其中每一流体路径是设置以冷却于该热源中的至少一介面热点区域。如申请专利范围第32项之歧管层，其中该介面层与该热源是整合性地形成。如申请专利范围第32项之歧管层，其中该热源是一积体电路。如申请专利范围第30项之歧管层，其中更包含一沿着该介面层配置的多孔结构。如申请专利范围第30项之歧管层，更包含构成复数微通道以输送流体流动及促进热传递。一种冷却与一热交换器介面层连结的热源的方法，该方法包括步骤：a.将一流体循环进入一中央贮水槽；b.引导该流体通过实质垂直于该介面层的一第一组流体路径；以及c.透过一实质平行于该介面层及垂直于该第一组流体路径的第二组流体路径来将流体从该介面层移除。如申请专利范围第41项之方法，更包含提供一上层以将该流体循环进入及离开每一流体路径的步骤。如申请专利范围第42项之方法，更包含将复数突出特性连结至该上层的步骤。如申请专利范围第42项之方法，更包含将一多孔结构连结至该上层的步骤。如申请专利范围第43项之方法，其中该上层包含一中央贮水槽，其中该流体从该热交换器的一入口传入。如申请专利范围第41项之方法，其中该流体为单相流状态。如申请专利范围第46项之方法，其中至少一部分的该流体为二相流状态。如申请专利范围第47项之方法，其中至少一部分该流体于该热交换器中经历一单相及二相流状态间的转变。如申请专利范围第41项之方法，其中每一流体路径是设置以冷却于该热源中的至少一介面热点区域。如申请专利范围第41项之方法，其中该介面层与该热源是整合性地形成。如申请专利范围第41项之方法，其中该热源是一积体电路。如申请专利范围第41项之方法，其中该介面层包含一沿着该介面层配置的多孔铜质泡沫材料。如申请专利范围第41项之方法，其中该介面层包含构成复数微通道以输送流体流动及促进热传递。如申请专利范围第41项之方法，其中该介面层包含沿着介面层配置的复数微针。 |
