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一种SIMOX晶圆的制造方法，系以包含：在加热矽晶圆至200~600℃的状态，从前述晶圆表面将第1剂量的氧离子藉由第1注入能量而注入，从前述晶圆表面于第1深度的位置形成含有高浓度的氧之第1离子注入层之工程、和将形成前述第1离子注入层的晶圆冷却至比前述加热温度低的温度之室温至200℃的状态，从前述晶圆的表面将第2剂量的氧离子藉由第2注入能量而注入，在比前述第1深度浅，从前述晶圆的表面在第2深度的位置连续于前述晶圆的表面侧之第1离子注入层，形成非结晶之第2离子注入层的工程、和藉由将前述晶圆，在含氧气氛中以1300℃以上未满矽融点的温度保持6~36小时，将第1及第2离子注入层作为BOX层之高温热处理工程，的顺序之SIMOX晶圆的制造方法，其特征为：在令形成前述的第1离子注入层的工程之第1剂量作为2×1017~3×1017atoms/cm2时，在形成第1离子注入层的工程之氧离子注入，分为2段~3段的复数段进行离子注入，其注入顺序为从高能量至低能量的顺序，在前述复数段的氧离子注入之第1注入能量的平均值为165~240keV，令在形成前述第2离子注入层的工程之第2剂量为1×1014~1×1016atoms/cm2。如申请专利范围第1项所记载的SIMOX晶圆之制造方法，其中，在形成第2离子注入层的工程之氧离子注入，分为2段~3段的复数段进行离子注入，其注入顺序为从低能量至高能量的顺序。如申请专利范围第1项或第2项所记载的SIMOX晶圆之制造方法，其中，在形成第2离子注入层的工程之第2注入能量，为比在形成前述第1离子注入层的工程之第1注入能量低的能量，从前述第1注入能量减去前述第2注入能量之值为10~30keV。 |
