| 主权项 |
一种用于减降(abatement)一半导体制程的热反应器，其至少包含：一热反应单元，包括：一多孔性内壁，定义出一中央反应室，该多孔性内壁是由复数个堆叠之多孔区段构成；至少一气体入口，系与该中央反应室为流体连通，适以引进一气态废物流至该中央反应室；一热构件，位于该中央反应室内，适以分解该中央反应室内的该气态废物流而形成多个反应产物；以及一流体输送系统，以一足够的推力而适以经由该多孔性内壁供应一流体至该中央反应室，以减少该些反应产物沉积在该中央反应室之该多孔性内壁的一内表面上，其中该些多孔区段至少其中之一者具有一或多个：在该多孔区段内变化的一性质；以及不同于该多孔性内壁之其他多孔区段的一性质。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之热反应单元是由至少8个多孔陶瓷环所构成。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之热反应单元是由约11个多孔陶瓷环所构成。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之多孔区段的一形状系选自由圆形、椭圆形、三角形、正方形、长方形、多边形、五边形、六边形和八边形所构成之群组。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之多孔区段选自由可堆叠之垫圈、锯齿状物和环所构成之群组。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之多孔区段至少其中之一者包含一非刚性材料。如申请专利范围第6项所述之热反应器，其中上述之多孔区段至少其中之一者包含掺杂氧化钇之铝纤维。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之多孔区段至少其中之一者具有一渐变的热膨胀系数(CTE)。如申请专利范围第8项所述之热反应器，其中上述之多孔区段至少其中之一者具有一由该多孔区段之上而下增加的热膨胀系数(CTE)。如申请专利范围第8项所述之热反应器，其中上述之多孔区段至少其中之一者具有一由该多孔区段之内而外增加的热膨胀系数(CTE)。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之多孔区段至少其中之一者具有在该多孔区段内变化的一孔洞尺寸、一孔洞形状、及一孔洞密度至少其中之一。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之多孔区段至少其中之一者具有呈锥形及圆锥形至少其中一种形状的孔洞。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之多孔区段至少其中之一者具有在该多孔区段内变化的一组成、一掺质(dopant)型态、及掺质浓度至少其中之一。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之多孔区段至少其中之一者包含一陶瓷、一烧结陶瓷、一烧结金属、一多孔性金属材料、一掺杂之铝纤维、一玻璃、及一多孔性高分子材料至少其中之一。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之多孔区段至少其中之一者包含氧化镁铝(MgAl2O4)、氧化铝(Al2O3)、碳化矽(SiC)、及氧化镁(MgO)至少其中之一。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之多孔区段至少其中之一者包含一掺杂之陶瓷。如申请专利范围第16项所述之热反应器，其中上述之多孔区段至少其中之一者包含掺杂有一或多种氧化钇、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、鉯(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、及镏(Lu)的一陶瓷。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之多孔区段的一第一多孔区段具有一第一热膨胀系数(CTE)，而一第二多孔区段具有一第二热膨胀系数(CTE)。如申请专利范围第18项所述之热反应器，其中上述之第一多孔区段位于接近该热反应单元的一入口处，且其中，该第一多孔区段的该第一CTE小于该第二多孔区段的该第二CTE。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之多孔区段各具一不同的热膨胀系数(CTE)。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之多孔区段的一第一多孔区段具有一第一纯度，而一第二多孔区段具有一第二纯度。如申请专利范围第21项所述之热反应器，其中上述之第一多孔区段位于接近该热反应单元的一入口处，且该第一多孔区段的该第一纯度大于该第二多孔区段的该第二纯度。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之多孔区段的一第一多孔区段具有一第一掺杂浓度，而一第二多孔区段具有一第二掺杂浓度。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之各多孔区段的一CTE、一纯度与一掺杂浓度的至少其中之一是依该热反应单元于降减时的一温度分布而定。如申请专利范围第1项所述之热反应器，其中上述之各多孔区段的一CTE、一纯度与一掺杂浓度的至少其中之一系经选择而使得在降减时，该热反应单元内之该些多孔区段的膨胀程度几乎相同。一种用于一减降系统的替换零件，其至少包含：一可堆叠且可置换的多孔性反应室区段，包括复数个特征结构，使该多孔性反应室区段与其他多孔性反应室区段相互堆叠，以形成定义出一中央反应室的一多孔壁，用以分解一半导体制程的一气态废物，该多孔性反应室区段具有一充足的多孔性，当该中央反应室进行一分解制程时，该多孔性反应室区段外的一流体可流经该多孔性反应室区段而流入该中央反应室，进而减少一反应产物朝向该多孔性反应室区段的一内表面移动，其中该多孔性反应室区段的一形状系选自由圆形、椭圆形、三角形、正方形、长方形、多边形、五边形、六边形和八边形所构成之群组，其中该多孔性反应室区段具有一或多个：在该多孔性反应室区段内变化的一性质；以及不同于该多孔壁之其他多孔性反应室区段的一性质。如申请专利范围第26项所述之替换零件，其中上述之多孔性反应室区段是由一第一陶瓷次区段和一第二陶瓷次区段所组成。如申请专利范围第27项所述之替换零件，其中上述之第一陶瓷次区段恰可放置在该第二陶瓷次区段内，且连接该第二陶瓷次区段。如申请专利范围第27项所述之替换零件，其中上述之第一陶瓷次区段与该第二陶瓷次区段一起配置形成一叠接(lap joint)。如申请专利范围第26项所述之替换零件，其中上述之多孔性反应室区段具有一渐变的热膨胀系数(CTE)。如申请专利范围第30项所述之替换零件，其中上述之多孔性反应室区段具有一由该多孔性反应室区段之上而往下增加的热膨胀系数(CTE)。如申请专利范围第30项所述之替换零件，其中上述之多孔性反应室区段具有一由该多孔性反应室区段之内而往外增加的热膨胀系数(CTE)。如申请专利范围第26项所述之替换零件，其中上述之多孔性反应室区段具有在该多孔性反应室区段内变化的一孔洞尺寸、一孔洞形状、及一孔洞密度至少其中之一。如申请专利范围第26项所述之替换零件，其中上述之多孔性反应室区段具有呈锥形及圆锥形至少其中一种形状的孔洞。如申请专利范围第26项所述之替换零件，其中上述之多孔性反应室区段具有在该多孔性反应室区段内变化的一组成、一掺质型态、及一掺质浓度至少其中之一。如申请专利范围第26项所述之替换零件，其中上述之多孔性反应室区段包含一陶瓷、一烧结陶瓷、一烧结金属、一多孔性金属材料、一掺杂之铝纤维、一玻璃、及一多孔性高分子材料至少其中之一。如申请专利范围第26项所述之替换零件，其中上述之多孔性反应室区段包含氧化镁铝(MgAl2O4)、氧化铝(Al2O3)、碳化矽(SiC)、及氧化镁(MgO)至少其中之一。如申请专利范围第26项所述之替换零件，其中上述之多孔性反应室区段包含一掺杂之陶瓷。如申请专利范围第38项所述之替换零件，其中上述之多孔性反应室区段包含掺杂有一或多种氧化钇、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、鉯(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、及镏(Lu)的一陶瓷。如申请专利范围第26项所述之替换零件，其中上述之多孔性反应室区段的一CTE、一纯度与一掺杂浓度至少其中一者是依该中央反应室于降减时的一温度分布而定。如申请专利范围第26项所述之替换零件，其中上述之多孔性反应室区段包含一开口，以于降减时取样该中央反应室内的一气体。如申请专利范围第26项所述之替换零件，其中上述之多孔性反应室区段包含一开口，用来容纳一感测器，该感测器系适以于降减时测量该多孔性反应室区段内的一温度。一种用于自一气流移除多个污染物的设备，其至少包含：一热反应单元，由复数个堆叠之多孔陶瓷环构成，其中该些多孔陶瓷环的一第一多孔陶瓷环具有一第一热膨胀系数(CTE)，而一第二多孔陶瓷环具有一第二热膨胀系数(CTE)。如申请专利范围第43项所述之设备，其中上述之第一多孔陶瓷环位于接近该热反应单元的一入口处，且其中，该第一多孔陶瓷环的该第一CTE小于该第二多孔陶瓷环的该第二CTE。如申请专利范围第43项所述之设备，其中上述之热反应单元是由至少11个该些多孔陶瓷环所构成。如申请专利范围第45项所述之设备，其中上述之多孔陶瓷环各具一不同的热膨胀系数(CTE)。如申请专利范围第43项所述之设备，其中上述之热反应单元是由少于11个陶瓷环所构成。一种用于由一气流移除多个污染物的设备，其至少包含：一热反应单元，由复数个堆叠之多孔陶瓷环构成，其中该些多孔陶瓷环的一第一多孔陶瓷环具有一第一纯度，而一第二多孔陶瓷环具有一第二纯度。如申请专利范围第48项所述之设备，其中上述之第一多孔陶瓷环位于接近该热反应单元的一入口处，且其中，该第一多孔陶瓷环的该第一纯度大于该第二多孔陶瓷环的该第二纯度。如申请专利范围第48项所述之设备，其中上述之热反应单元是由至少11个多孔陶瓷环所构成。如申请专利范围第50项所述之设备，其中上述之多孔陶瓷环各具一不同的纯度。一种用于自一气流移除多个污染物的设备，其至少包含：一热反应单元，由复数个堆叠之多孔陶瓷环构成，其中该些多孔陶瓷环的一第一多孔陶瓷环具有一第一掺质浓度，而一第二多孔陶瓷环具有一第二掺质浓度。如申请专利范围第52项所述之设备，其中上述之第一多孔陶瓷环位于接近该热反应单元的一入口处，且该第一多孔陶瓷环的该第一掺质浓度大于该第二多孔陶瓷环的该第二掺质浓度。如申请专利范围第52项所述之设备，其中上述之热反应单元是由至少11个多孔陶瓷环所构成。如申请专利范围第52项所述之设备，其中上述之多孔陶瓷环各具一不同的掺质浓度。一种用于减降一半导体制程的设备，其至少包含：一热反应单元，包括：一具复数个穿孔的外壁，该些穿孔系适以流贯一流体；一多孔性内壁，定义出一中央反应室，该多孔性内壁是由复数个堆叠之多孔区段构成；至少一废气入口，与该中央反应室为流体连通，适以将一气态废物流引入该中央反应室；一热构件，位于该中央反应室内，适以分解该中央反应室内的该气态废物流而形成多个反应产物；以及一流体输送系统，以一足够的推力而适以由该外壁之该些穿孔供应一流体、并经由该多孔性内壁流至该中央反应室，以减少该些反应产物沉积在该中央反应室之该多孔性内壁的一内表面上，其中该外壁之该些穿孔提供横跨该热反应单元的一压降，该压降为约0.1磅/平方英寸(psi)至5 psi。一种用于减降一半导体制程的设备，其至少包含：一热反应单元，包括：一具复数个穿孔的外壁，该些穿孔系适以流贯一流体；一多孔性内壁，定义出一中央反应室，该多孔性内壁是由复数个堆叠之多孔区段构成；至少一废气入口，与该中央反应室为流体连通，适以将一气态废物流引入该中央反应室；一热构件，位于该中央反应室内，适以分解该中央反应室内的该气态废物流而形成多个反应产物；以及一流体输送系统，以一足够的推力而适以由该外壁之该些穿孔供应一流体、并经由该多孔性内壁流至该中央反应室，以减少该些反应产物沉积在该中央反应室之该多孔性内壁的一内表面上，其中该流体输送系统系适以提供水、蒸汽、空气、净化乾空气、浓缩清净空气、富氧空气、贫氧空气、惰性气体、试剂、氧化剂、和稀薄空气至少其中之一，其中该流体输送系统系适以提供具有压力为约600磅/平方英寸(表压)(psig)或以下的该流体。如申请专利范围第57项所述之设备，其中上述之流体输送系统系适以供应臭氧、过氧化氢、和氨至少其中之一。如申请专利范围第57项所述之设备，其中上述之流体输送系统系适以仅供应水或空气。如申请专利范围第57项所述之设备，其中上述之流体输送系统系适以采用一定期脉冲模式提供一流体。如申请专利范围第59项所述之设备，其中上述之流体输送系统系适以采用介于约3毫秒至1秒之一脉冲期间而提供一流体。如申请专利范围第57项所述之设备，其中上述之流体输送系统系适以提供具有压力为小于约100 psig的一流体。如申请专利范围第57项所述之设备，其中上述之流体输送系统系适以提供具有压力为约50 psig至约100 psig的一流体。如申请专利范围第57项所述之设备，其中上述之流体输送系统系适以提供具有压力为约5 psig至约50 psig的一流体。如申请专利范围第57项所述之设备，其中上述之流体输送系统系适以提供具有压力为约1/10 psig至约5 psig的一流体。如申请专利范围第57项所述之设备，其中上述之热反应单元包含至少一氧化剂入口，用以引进一氧化剂至该中央反应室。如申请专利范围第57项所述之设备，其中上述之热反应单元包含至少一附加气体入口，用以引进一可燃燃料至该中央反应室。如申请专利范围第67项所述之设备，其中上述之可燃燃料包含氧气、都市气体(city gas)、LPG(液化丙烷气)、丙烷、甲烷、氢气、丁烷、乙醇、13A、和天然气至少其中之一。一种用于减降一半导体制程的方法，其至少包含：提供一热反应单元，该热反应单元包括：一具复数个穿孔的外壁，该些穿孔系适以流贯一流体；一多孔性内壁，定义出一中央反应室，该多孔性内壁是由复数个堆叠之多孔区段构成；至少一废气入口，与该中央反应室为流体连通，适以引进一气态废物流至该中央反应室；一热构件，位于该中央反应室内，适以分解该中央反应室内的该气态废物流而形成多个反应产物；以及一流体输送系统，以一足够的推力而适以由该外壁之该些穿孔供应一流体、并经由该多孔性内壁流至该中央反应室，以减少该些反应产物沉积在该中央反应室之该多孔性内壁的一内表面上，其中该外壁之该些穿孔提供横跨该热反应单元的一压降，且该压降为约0.1 psi至5 psi；以及利用该热反应单元来减降该半导体制程。一种用于减降一半导体制程的方法，其至少包含：提供一热反应单元，该热反应单元包括：一具复数个穿孔的外壁，该些穿孔系适以流贯一流体；一多孔性内壁，定义出一中央反应室，该多孔性内壁是由复数个堆叠之多孔区段构成；至少一废气入口，与该中央反应室为流体连通，适以引进一气态废物流至该中央反应室；一热构件，位于该中央反应室内，用以分解该中央反应室内的该气态废物流而形成多个反应产物；以及一流体输送系统，以一足够的推力而适以由该外壁之该些穿孔供应一流体、并经由该多孔性内壁流至该中央反应室，以减少该些反应产物沉积在该中央反应室之该多孔性内壁的一内表面上，其中该流体输送系统系适以提供水、蒸汽、空气、净化乾空气、浓缩清净空气、富氧空气、贫氧空气、钝气、试剂、氧化剂、和稀薄空气至少其中之一，其中该流体输送系统系适以提供一具有压力为约600 psig或以下的流体；以及利用该热反应单元来减降该半导体制程。如申请专利范围第70项所述之方法，更包含利用该流体输送系统于降减时来供应臭氧、过氧化氢、和氨至少其中之一。如申请专利范围第70项所述之方法，更包含利用该流体输送系统于降减时仅供应水或空气。如申请专利范围第70项所述之方法，更包含利用该流体输送系统于降减时以一定期脉冲模式来供应一流体。如申请专利范围第73项所述之方法，更包含利用该流体输送系统以介于约3毫秒至1秒的一脉冲期间来供应一流体。如申请专利范围第70项所述之方法，更包含利用该流体输送系统以提供具有压力小于约100 psig的一流体。如申请专利范围第70项所述之方法，更包含利用该流体输送系统以提供具有压力约50 psig至约100 psig的一流体。如申请专利范围第70项所述之方法，更包含利用该流体输送系统以提供具有压力约5 psig至约50 psig的一流体。如申请专利范围第70项所述之方法，更包含利用该流体输送系统以提供具有压力约1/10 psig至约5 psig的一流体。如申请专利范围第70项所述之方法，其中上述之热反应单元包含至少一氧化剂入口，用以引进一氧化剂至该中央反应室。如申请专利范围第70项所述之方法，其中上述之热反应单元包含至少一附加气体入口，用以引进一可燃燃料至该中央反应室。如申请专利范围第70项所述之方法，更包含于降减时引进氧气、都市气体、LPG、丙烷、甲烷、氢气、丁烷、乙醇、13A、和天然气至少其中之一至该中央反应室。一种用于制造一电子元件的系统，该系统至少包含：复数个处理工具，分别包含一处理室；一减降系统，包含一热反应室，用以减降该些处理工具的多个污染物，该减降系统包括复数个入口；以及一歧管，用来耦接该些处理工具的复数个污染物出口至该减降系统的该些入口。如申请专利范围第82项所述之系统，其中上述之减降系统包含一冷却单元。如申请专利范围第82项所述之系统，其中上述之减降系统的该些入口包含至少一第一入口和至少一第二入口。如申请专利范围第84项所述之系统，其中上述之第一入口藉由该歧管连接至一第一处理工具，而该第二入口藉由该歧管连接至一第二处理工具。一种用于制造一电子元件的系统，该系统至少包含：一处理工具；一减降系统，用以减降该处理工具的多个污染物，该减降系统包括复数个反应室，其中包含一热反应室，每个反应室包括复数个入口；以及一歧管，用来耦接该处理工具的一污染物出口至该减降系统的该些入口。如申请专利范围第86项所述之系统，其中上述之减降系统的该些反应室包含一冷却单元。如申请专利范围第86项所述之系统，其中上述之各反应室的该些入口包含至少一主要入口和至少一备用入口。如申请专利范围第88项所述之系统，其中上述之备用入口连接至该歧管，用以接收来自一未使用之反应室的多个污染物。一种用于制造多个电子元件的系统，该系统至少包含：复数个处理工具；一减降系统，用以减降该些处理工具的多个污染物，该减降系统包括复数个反应室，该等复数个反应室包含复数个作用中的反应室以及复数个非作用中的反应室，且每个反应室包括复数个入口；以及一歧管，用以自该等处理工具的复数个污染物出口接收污染物，并选择性地将该污染物导引至该等作用中的反应室之该等入口并离开该等非作用中的反应室之该等入口。如申请专利范围第90项所述之系统，其中上述之减降系统的该些反应室包含一热反应室和一冷却单元至少其中之一。如申请专利范围第90项所述之系统，其中上述之歧管系适以分散该些处理工具的该些污染物至该减降系统的该些反应室中。如申请专利范围第92项所述之系统，其中上述之歧管更适以分配该些污染物至该减降系统的该些反应室中。如申请专利范围第92项所述之系统，其中上述之歧管更依据各个该些反应室的可利用性而适以引导该些污染物至该减降系统的该些反应室。如申请专利范围第92项所述之系统，其中上述之歧管更适以接收一关于各个该些反应室的状态资讯，并根据该状态资讯来引导该些污染物至该减降系统的该些反应室。如申请专利范围第95项所述之系统，其中上述之反应室各具有一降减容量，该些反应室共具有一整体降减容量，且该些处理工具分别产生一污染物输出负载量，该些处理工具共同产生一整体污染物输出负载量，其中该整体降减容量超过该整体污染物输出负载量。如申请专利范围第96项所述之系统，其中由该反应室的一子集合(subset)组合而成的一组合降减容量超过该整体污染物输出负载量，使得如果一反应室未能使用时，该歧管可重新引导该些处理工具的该些污染物至该反应室的一子集合(不含该未能使用之反应室)，且该整体污染物输出负载量不超过该反应室的该子集合的该组合降减容量。如申请专利范围第90项所述之系统，其中上述之各反应室的该些入口包含至少一主要入口和至少一备用入口。如申请专利范围第98项所述之系统，其中上述之备用入口连接至该歧管，用以接收由一未能使用之反应室而重新导引的多个污染物。如申请专利范围第90项所述之系统，其中上述之处理工具各连接到至少一该些反应室，且其中至少一该些反应室是做为一不连接任一处理工具的备用反应室，以及其中该备用反应室包含复数个入口，透过该歧管而耦接至各个该些处理工具，当连接一处理工具的该些反应室其中之一不能使用时，该歧管系适以引导该些污染物至该备用反应室。如申请专利范围第90项所述之系统，其中上述之减降系统系适以分解与转化一气态废物流的多个气态污染物。如申请专利范围第101项所述之系统，其中上述之减降系统的该些反应室包含一上热反应室和一下反应室。如申请专利范围第102项所述之系统，其中上述之上热反应室包含：一外壁；一多孔性内壁，定义出一中央分解转化室；一流体入口，用来引进一或多种流体至该中央分解转化室；一热装置，用来分解与转化该气态废物流成为多个反应产物；以及至少一废气入口，用以传导该气态废物流进入该上热反应室。如申请专利范围第103项所述之系统，其中上述之多孔性内壁定义出一环形内部空间。如申请专利范围第103项所述之系统，其中上述之下反应室包含：一气流室，系与该中央分解转化室为流体连通；以及至少一氧化剂入口，用以引进一氧化剂至该气流室。如申请专利范围第105项所述之系统，其中上述之废气入口包含一导管，该导管终止于该中央分解转化室内。如申请专利范围第106项所述之系统，其中上述终止于该中央分解转化室内之该导管的一部份系位在一突出该导管之一末端之外的管状物中，以定义出该管状物内供燃烧的一反应室。如申请专利范围第107项所述之系统，其中上述之管状物包含一开口端，该开口端与该中央分解转化室为流体连通。一种用于减降一半导体制程的设备，其至少包含：复数个反应室，每一反应室包括复数个废物流入口；以及一歧管，选择性地耦接复数个处理工具的复数个污染物出口至该些反应室的该些废物流入口。一种用于减降一半导体制程的设备，其至少包含：一热反应单元，包含：一多孔性内壁，定义出一中央反应室，该多孔性内壁是由复数个堆叠之陶瓷区段构成，且至少一堆叠之该些陶瓷区段系适以提供检测该中央反应室之一内容物的一特性；至少一废气入口，与该中央反应室为流体连通，适以引进一气态废物流至该中央反应室；一热构件，位于该中央反应室内，适以分解该中央反应室内的该气态废物流而形成多个反应产物；以及一流体输送系统，以一足够的压力而适以由该多孔性内壁供应一流体至该中央反应室，以减少该反应产物沉积在该中央反应室之该多孔性内壁的一内表面上。如申请专利范围第110项所述之设备，其中上述之一或多个堆叠之该些陶瓷区段系适以协助使用一或多个感测器。如申请专利范围第111项所述之设备，其中上述之一或多个堆叠之该些陶瓷区段包含一孔洞，以提供一空间给一或多个该些感测器。如申请专利范围第112项所述之设备，其中上述之孔洞设置在一堆叠之陶瓷区段中，并适以以容纳一温度感测器。如申请专利范围第113项所述之设备，其中上述之温度感测器耦接至一控制器，以至少部分地根据该温度感测器的一输出而适以控制该热反应单元。如申请专利范围第110项所述之设备，其中上述之一或多个堆叠之该些陶瓷区段包含一穿孔，以提供一空间给一或多个该些感测器。如申请专利范围第115项所述之设备，其中上述之穿孔为设置而适以容纳一NOX感测器、一压力感测器、一温度感测器、一流量感测器、和一辐射感测器至少其中之一。如申请专利范围第116项所述之设备，其中上述之感测器耦接至一控制器，以至少部分地根据该感测器的一输出而适以控制该热反应单元。如申请专利范围第117项所述之设备，其中上述之控制器依据该感测器产生的一反馈信息而适以调整关于该热反应单元的多个制程参数。如申请专利范围第118项所述之设备，其中上述之制程参数包含一流速、一温度、和一气体浓度至少其中之一。如申请专利范围第111项所述之设备，其中上述之一或多个堆叠之该些陶瓷区段包含一接口，该接口系适以透过该接口取样该热反应单元。如申请专利范围第120项所述之设备，其中上述之接口系适以供该热反应单元中的一气体经由该陶瓷区段流出并加以收集。一种用于减降一半导体制程的设备，其至少包含：一热反应单元，包含：一多孔性内壁，定义出一中央反应室，该多孔性内壁是由复数个堆叠之陶瓷区段构成；至少一废气入口，与该中央反应室为流体连通，用以引进一气态废物流至该中央反应室，并引导该气态废物流远离该反应室的该多孔性内壁；一热构件，位于该中央反应室内，适以分解该中央反应室内的该气态废物流而形成多个反应产物；以及一流体输送系统，以一足够的压力而适以由该多孔性内壁供应一流体至该中央反应室，以减少该些反应产物沉积在该中央反应室之该多孔性内壁的一内表面上。如申请专利范围第122项所述之设备，其中上述之废气入口系朝向该中央反应室的一中心而呈一角度。如申请专利范围第122项所述之设备，其中上述之废气入口系朝向该中央反应室的一中央反应区而呈一角度。如申请专利范围第122项所述之设备，其中上述之废气入口系设置而可产生一紊流燃烧区(turbulent combustion zone)于该中央反应室内。如申请专利范围第122项所述之设备，其中上述之废气入口系设置而可产生一涡流燃烧区(swirling combustion zone)于该中央反应室内。如申请专利范围第122项所述之设备，其中上述之废气入口系从一垂直面而朝向该中央反应室之一中心呈一角度，且该角度为约2度至约45度。如申请专利范围第122项所述之设备，其中上述之废气入口系设置而可产生一废气螺旋状漩涡于该中央反应室内。如申请专利范围第122项所述之设备，其中上述之废气入口系设置而可使该气态废物流停留在该中央反应室内的时间最大化。如申请专利范围第122项所述之设备，其中上述之废气入口的一设置角度是可调整的。如申请专利范围第130项所述之设备，其中上述之废气入口的该设置角度是依据该气态废物流在该中央反应室内之一期望停留时间来调整。如申请专利范围第130项所述之设备，其中上述之废气入口的该设置角度是依据该气态废物流的一组成来调整。如申请专利范围第130项所述之设备，其中上述之废气入口的该设置角度是依据该中央反应室的一温度来调整。 |
