| 主权项 |
一种注入锁定除频器(Injection-Locked Frequency Divider)，包括：一讯号注入单元，用以接收并输出一注入讯号；一哈特莱(Hartley)压控振荡器，用以接收该注入讯号，并经由一第一输出端与一第二输出端输出一差动输出讯号，该差动输出讯号之频率等于一除频频率，该哈特莱压控震荡器包括：一第一电晶体及一第二电晶体，该第一与该第二电晶体之第一端分别耦接至该第一及该第二输出端，第二端耦接至一第一节点；及一电容电感共振腔电路(LC Tank)，跨接于该第一输出端与该第一电晶体之控制端，并跨接于该第二输出端与该第二电晶体之控制端以作为该第一与该第二电晶体之正回授电路，该电容电感共振腔电路决定该哈特莱压控振荡器之一共振频率，该注入讯号之频率与该共振频率混频以产生频率等于该除频频率之该差动输出讯号；以及一偏压单元，用以提供一第一电流与一第二电流至该哈特莱压控振荡器，以对该哈特莱压控振荡器进行偏压。如申请专利范围第1项所述之注入锁定除频器，其中该讯号注入单元为一直接注入式注入单元，包括一第四电晶体，第一端与第二端分别耦接至该第一与该第二电晶体之控制端，控制端接收该注入讯号。如申请专利范围第1项所述之注入锁定除频器，其中该讯号注入单元为一电流源注入式注入单元，包括一第三电晶体，该第三电晶体之第一端耦接至该第一节点，第二端接收一第一电压讯号，控制端接收该注入讯号。如申请专利范围第1项所述之注入锁定除频器，其中该偏压单元包括：一第五电晶体与一第六电晶体，该第五与该第六电晶体之第一端接收一第二电压讯号，第二端分别耦接至该第一与该第二输出端，控制端分别接收一第一偏压讯号与一第二偏压讯号，该第一与该第二偏压讯号分别用以偏压该第五与该第六电晶体于主动区(Active Region)以分别提供该第一与该第二电流。如申请专利范围第1项所述之注入锁定除频器，其中该偏压单元包括：一交互耦合(Cross-Coupled)电晶体对，包括一第七电晶体与第八电晶体，该第七与该第八电晶体之第一端接收一第二电压讯号，第二端分别耦接至该第一与该第二输出端，控制端分别耦接至该第二与该第一输出端。如申请专利范围第1项所述之注入锁定除频器，其中该电容电感共振腔电路包括一第一电感单元、一第二电感单元、一第三电感单元、一第四电感单元、一第一电容单元与一第二电容单元，该第一至该第四电感单元依序地串连地连接于该第一与该第二电晶体之控制端，该第一电容单元之第一端与第二端分别耦接至该第一输出端与该第一与该第二电感单元之耦接点，该第二电容单元之第一端与第二端分别耦接至该第二输出端与该第三与该第四电感单元之耦接点。如申请专利范围第6项所述之注入锁定除频器，其中该哈特莱压控振荡器更包括：一第一可变电容(Varactor)及一第二可变电容，该第一与该第二可变电容之第一端分别耦接至该第一与该第二电晶体之控制端，第二端相互耦接以接收一第三偏压讯号，该第一与该第二可变电容回应于该第三偏压讯号来改变电容值，以改变该哈特莱压控震荡器之该共振频率。一种注入锁定除频器(Injection-Looked Frequency Divider)，包括：一讯号注入单元，用以接收并提供一注入讯号；以及一考毕子(Colpitts)压控振荡器，用以接收该注入讯号，并经由一第一输出端与一第二输出端输出一差动输出讯号，该差动输出讯号之频率等于一除频频率，该考毕子压控震荡器包括：一第一电晶体及一第二电晶体，该第一与该第二电晶体之第一端分别耦接至该第一及该第二输出端，第二端耦接至一第一节点；一交互耦合(cross-Coupled)电晶体对，包括一第三电晶体与一第四电晶体，该第三与该第四电晶体之第一端接收第一电压讯号，第二端分别耦接至该第一与该第二电晶体之第一端，控制端分别耦接至该第四与该第三电晶体之第二端；及一电容电感共振腔电路(LC Tank))，跨接于该第一输出端与该第一电晶体之控制端，并跨接于该第二输出端与该第二电晶体之控制端以作为该第一与该第二电晶体之正回授电路，该电容电感共振腔电路决定该考毕子压控振荡器之一共振频率，该注入讯号之频率与该共振频率进行混频以产生频率等于该除频频率之该差动输出讯号。如申请专利范围第8项所述之注入锁定除频器，其中该讯号注入单元为一直接注入式注入单元，包括一第五电晶体，第一端与第二端分别耦接至该第一与该第二电晶体之控制端，控制端接收该注入讯号。如申请专利范围第8项所述之注入锁定除频器，其中该讯号注入单元为一电流源注入式注入单元，包括一第六电晶体，该第三电晶体之第一端耦接至该第一节点，第二端接收该第一电压讯号，控制端接收该注入讯号。如申请专利范围第8项所述之注入锁定除频器，其中该电容电感共振腔电路更包括一第一电感单元、一第二电感单元、一第一电容单元、一第二电容单元、该第三与该第四电晶体之氧化层(Oxide Layer)电容，该第一与该第二电感单元依序地串连地连接于该第一与该第二电晶体之控制端，该第一电容单元之第一端与第二端分别耦接至该第一输出端与该第一电晶体之控制端，该第二电容单元之第一端与第二端分别耦接至该第二输出端与该第二电晶体之控制端，该第一与该第二电容单元之第一端更分别耦接至该第三与该第四电晶体之氧化层电容。如申请专利范围第8项所述之注入锁定除频器，其中该考毕子压控振荡器更包括：一第一可变电容(Varactor)及一第二可变电容，该第一与该第二可变电容之第一端分别耦接至该第一与该第二电晶体之控制端，第二端相互耦接以接收一第二偏压讯号，该第一与该第二可变电容回应于该第二偏压讯号来改变电容值，以改变该考毕子压控震荡器之该共振频率。 |
