| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，包含：用微滴释放法在具有绝缘表面的基底上形成闸极电极；在闸极电极上层叠闸极绝缘层、第一半导体层、和包含一种导电型杂质的第二半导体层；用微滴释放法在和闸极电极重叠的位置形成当成掩模的第一导电层；利用第一导电层蚀刻第一半导体层和包含一种导电型杂质的第二半导体层；用微滴释放法在第一导电层上形成当成源极接线或汲极接线的第二导电层；以及用第二导电层做掩模蚀刻第一导电层和包含一种导电型杂质的第二半导体层。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中，藉由微滴释放法使用包含银、金或铜的材料形成闸极电极。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中，闸极绝缘层藉由顺序层叠氮化矽膜和氧化矽膜形成。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中，闸极绝缘层藉由顺序层叠第一氮化矽膜、氧化矽膜和第二氮化矽层形成。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中，藉由电浆CVD，使用被稀有气体元素稀释的矽化物气体形成第一半导体层。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中，藉由电浆CVD，使用在矽化物气体中混入碳化物气体和锗气体其中之一或二者的气体形成第一半导体层。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中，形成第一半导体层，使得氧浓度为5×1019原子/cm3或更少，较佳的为1×1019原子/cm3或更少。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中，半导体装置被组合在选自包括显示装置、电脑和携带型影像再生装置的组的电子设备中。一种半导体装置之制造方法，包含：用微滴释放法在具有绝缘表面的基底上形成闸极电极；在闸极电极上层叠闸极绝缘层和第一半导体层；用微滴释放法在和闸极电极重叠的位置形成第一掩模；利用第一掩模藉由蚀刻第一半导体层而形成第二半导体层；在第二半导体层上形成绝缘层；用微滴释放法在绝缘层上形成第二掩模；利用第二掩模蚀刻绝缘层形成通道保护层；在第二半导体层上形成包含一种导电型杂质的第三半导体层；用微滴释放法在包含一种导电型杂质的第三半导体层上形成当成源极接线或汲极接线的导电层；以及用该导电层作掩模，蚀刻包含一种导电型杂质的第三半导体层。如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法，其中，藉由微滴释放法使用包含银、金或铜的材料形成闸极电极。如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法，其中，闸极绝缘层藉由顺序层叠氮化矽膜和氧化矽膜形成。如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法，其中，闸极绝缘层藉由顺序层叠第一氮化矽膜、氧化矽膜和第二氮化矽层形成。如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法，其中，藉由电浆CVD，使用被稀有气体元素稀释的矽化物气体形成第一半导体层。如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法，其中，藉由电浆CVD，使用在矽化物气体中混入碳化物气体和锗气体其中之一或二者的气体形成第一半导体层。如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法，其中，形成第一半导体层，使得氧浓度为5×1019原子/cm3或更少，较佳的为1×1019原子/cm3或更少。如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法，其中，半导体装置被组合在选自包括显示装置、电脑和携带型影像再生装置的组的电子设备中。一种半导体装置之制造方法，包含：用微滴释放法在具有绝缘表面的基底上形成闸极电极；在闸极电极上叠加闸极绝缘层、第一半导体层、和包含一种导电型杂质的第二半导体层；用微滴释放法在和闸极电极重叠的位置形成掩模；使用该掩模蚀刻第一半导体层和包含一种导电型杂质的第二半导体层形成第三半导体层和包含一种导电型杂质的第四半导体层；用微滴释放法在包含一种导电型杂质的第四半导体层上形成当成源极接线或汲极接线的导电层；以及使用该导电层做掩模蚀刻包含一种导电型杂质的第四半导体层。如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法，其中，藉由微滴释放法使用包含银、金或铜的材料形成闸极电极。如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法，其中，闸极绝缘层藉由顺序层叠氮化矽膜和氧化矽膜形成。如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法，其中，闸极绝缘层藉由顺序层叠第一氮化矽膜、氧化矽膜和第二氮化矽层形成。如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法，其中，藉由电浆CVD，使用被稀有气体元素稀释的矽化物气体形成第一半导体层。如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法，其中，藉由电浆CVD，使用在矽化物气体中混入碳化物气体和锗气体其中之一或二者的气体形成第一半导体层。如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法，其中，形成第一半导体层，使得氧浓度为5×1019原子/cm3或更少，较佳的为1×1019原子/cm3或更少。如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法，其中，半导体装置被组合在选自包括显示装置、电脑和携带型影像再生装置的组的电子设备中。一种半导体装置之制造方法，包含：用微滴释放法在具有绝缘表面的基底上形成闸极电极；层叠闸极绝缘层、第一半导体层、和绝缘层；用微滴释放法在和闸极电极重叠的位置形成第一掩模；利用第一掩模蚀刻绝缘层形成通道保护层；在第一半导体层上形成包含一种导电型杂质的第二半导体层；用微滴释放法在和通道保护层重叠的位置形成第二掩模；利用第二掩模蚀刻包含一种导电型杂质的第二半导体层形成包含一种导电型杂质的第三半导体层；在包含一种导电型杂质的第三半导体层上用微滴释放法形成当成源极接线或汲极接线的导电层；以及用该导电层作掩模，蚀刻包含一种导电型杂质的第三半导体层。如申请专利范围第25项之半导体装置之制造方法，其中，藉由微滴释放法使用包含银、金或铜的材料形成闸极电极。如申请专利范围第25项之半导体装置之制造方法，其中，闸极绝缘层藉由顺序层叠氮化矽膜和氧化矽膜形成。如申请专利范围第25项之半导体装置之制造方法，其中，闸极绝缘层藉由顺序层叠第一氮化矽膜、氧化矽膜和第二氮化矽层形成。如申请专利范围第25项之半导体装置之制造方法，其中，藉由电浆CVD，使用被稀有气体元素稀释的矽化物气体形成第一半导体层。如申请专利范围第25项之半导体装置之制造方法，其中，藉由电浆CVD，使用在矽化物气体中混入碳化物气体和锗气体其中之一或二者的气体形成第一半导体层。如申请专利范围第25项之半导体装置之制造方法，其中，形成第一半导体层，从而氧浓度为5×1019原子/cm3或更少，较佳的为1×1019原子/cm3或更少。如申请专利范围第25项之半导体装置之制造方法，其中，半导体装置被组合在选自包括显示装置、电脑和携带型影像再生装置的组的电子设备中。 |
