发明名称 半穿透反射式液晶显示阵列基板之画素结构及制造方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.02.01
申请号 TW096141536 申请日期 2007.11.02
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 林永伦;董修琦;柳俐萍
分类号 G02F1/136 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种液晶显示阵列基板之画素结构,包含:一基板,具有一第一区与一第二区;一图案化第一导电层,形成于该基板上,并包括一第一部份、一第二部份以及一第三部份,其中该第一部份系位于该第一区,该第二部份系作为一扫描线以及一闸极,该第三部份系作为一下层资料线段;一第一内层介电层,覆盖于该基板上;一图案化半导体层,形成于该闸极上;一图案化第二导电层,形成于该第一内层介电层上,并包括一第一部份、一第二部份以及一第三部份,其中该图案化第二导电层之该第一部份系位于该第一区之该第一内层介电层上,并作为一共用线用以耦接一共同电极电位,而与该图案化第一导电层之该第一部份形成一第一储存电容;该图案化第二导电层之该第二部份系作为一汲极,且与该图案化第一导电层之该第一部份电性连结;该图案化第二导电层之该第三部份系作为一上层资料线段以及一源极,藉以与该图案化第一导电层之该第三部份相互导通而形成一资料线;一第二内层介电层,覆盖于该基板上;一图案化透明导电层,形成于该第一区及该第二区之该第二内层介电层上,其中该图案化透明导电层耦接该图案化第二导电层之该第二部份,并与该第二导电层之该第一部分形成一第二储存电容;一保护层,覆盖于该基板上,并具有一开口暴露出该第二区之该图案化透明导电层,藉以在该第二区形成该画素结构之一穿透区;以及一图案化反射金属层,形成于该保护层上,且电性连结该图案化透明导电层,藉以在该第一区形成该画素结构之一反射区。如申请专利范围第1项所述之画素结构,其中该第一内层介电层具有至少一第一接触孔,供该图案化第二导电层之该第二部分与该图案化第一导电层之该第一部分相互导通,且该图案化第二导电层之该第三部份与该图案化第一导电层之该第三部份相互导通。如申请专利范围第1项所述之画素结构,其中该第二内层介电层具有至少一第二接触孔,供该图案化第二导电层之该第二部分与该图案化透明导电层相互导通。如申请专利范围第1项所述之画素结构,其中该保护层具有复数个第三接触孔分别于该图案化第一导电层之该第一部分和该第三部分以及该图案化第二导电层之该第二部分和该第三部分之上,供该图案化第一导电层之该第一部分经由该些第三接触孔及该图案化反射金属层与该图案化第二导电层之该第二部分相互导通,且供该图案化第一导电层之该第三部分经由该些第三接触孔及该图案化反射金属层与该图案化第二导电层之该第三部分相互导通。一种液晶显示阵列基板之制造方法,包含:提供一基板,具有一第一区与一第二区;形成一图案化第一导电层于该基板上,该图案化第一导电层包括一第一部份、一第二部份以及一第三部份,其中该图案化第一导电层之该第一部份系位于该第一区,该图案化第一导电层之该第二部份系作为一扫描线以及一闸极,该图案化第一导电层之该第三部份系作为一下层资料线段;形成一第一内层介电层覆盖于该基板上;形成一图案化半导体层于该闸极之上;形成一图案化第二导电层于该第一内层介电层上,该图案化第二导电层包括一第一部份、一第二部份以及一第三部份,其中该图案化第二导电层之该第一部份系位于该第一内层介电层上且在该第一区,并作为一共用线用以耦接一共同电极电位,而与该图案化第一导电层之该第一部份形成一第一储存电容;该图案化第二导电层之该第二部份系作为一汲极,且与该第一导电层之该第一部份电性连结;该图案化第二导电层之该第三部份系作为之一上层资料线段以及一源极,藉以与该图案化第一导电层之该第三部份相互导通而形成一资料线;形成一第二内层介电层覆盖于该基板上;形成一图案化透明导电层于该第一区及该第二区之该第二内层介电层上,其中该图案化透明导电层耦接该图案化第二导电层之该第二部份,并与该图案化第二导电层之该第一部分形成一第二储存电容;形成一保护层覆盖于该基板上,其中该保护层具有一开口暴露出该第二区之该图案化透明导电层,藉以在该第二区形成一穿透区;以及形成一图案化反射金属层于该保护层上,其中该图案化反射金属层系电性连结该图案化透明导电层,藉以在该第一区形成一反射区。如申请专利范围第5项所述之制造方法,更包含:蚀刻该第一内层介电层以形成至少一第一接触孔,使得该图案化第二导电层之该第二部分藉由该第一接触孔与该图案化第一导电层之该第一部分相互导通,且该图案化第二导电层之该第三部份藉由该第一接触孔与该图案化第一导电层之该第三部份相互导通。如申请专利范围第5项所述之制造方法,更包含:蚀刻该第二内层介电层以形成至少一第二接触孔,使得该图案化第二导电层之该第二部分藉由该第二接触孔与该图案化透明导电层相互导通。如申请专利范围第5项所述之制造方法,更包含:蚀刻该保护层以分别在该图案化第一导电层之该第一部分和该第三部分以及该图案化第二导电层之该第二部分和该第三部分之上形成复数个第三接触孔,供该图案化第一导电层之该第一部分经由该些第三接触孔以及该图案化反射金属层与该图案化第二导电层之该第二部分相互导通,且供该图案化第一导电层之该第三部分经由该些第三接触孔以及该图案化反射金属层与图案化第二导电层之该第三部分相互导通。
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