| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体电容之制造方法,该方法包括下列步骤:a.提供一半导体基底,其上已形成有至少一电晶体与一场氧化层,该电晶体包括一闸极与一源极/汲极区;b.形成一二氧化矽层于该闸极与该源极/汲极区上;c.罩幕定义,定义出一第一介层洞;d.去除部份该二氧化矽层,以形成该第一介层洞;e.依序形成具掺杂的一第一复晶矽层、一矽化钨与一第一氮化矽层于该二氧化矽层与该第一介层洞上;f.罩幕定义,去除部份该第一复晶矽层、该矽化钨与该第一氮化矽层,暴露出部份的该二氧化矽层;g.形成一第二氮化矽层,覆盖于该第一氮化矽层与暴露出的该第二氧化矽层;h.蚀刻该第二氮化矽层,以形成复数个氮化矽间隙壁;i.依序形成一第三氮化矽层、一第一氧化层与一第一硼磷矽化玻璃层;j.罩幕定义,定义出复数个第二介层洞;k.去除部份该二氧化矽层、该第三氮化矽层、该氧化层与该第一硼磷矽化玻璃层,以形成该些第二介层洞;l.形成具掺杂的一第二复晶矽层与一第二氧化层于该第一硼磷矽化玻璃层上与第二介层洞内;m.蚀刻去除部份该第二氧化层,暴露出该第二复晶矽层;n.形成一具掺杂的第三复晶矽层于该第二复晶矽层上方与该第二介层洞内;o.去除该第二复晶矽层与该第三复晶矽层,暴露出该第一硼磷矽化玻璃层;p.移除该第一硼磷矽化玻璃层、该第一氧化层与该第二氧化层,以形成一下电极;q.形成一薄的介电膜层于该下电极上;r.形成一第四复晶矽层于该介电膜层上,以形成一上电极;以及s.形成一第二硼磷矽化玻璃层于该上电极上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该二氧化矽层厚度范围约为1000-2000A。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一复晶矽层厚度约为1000A。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该矽化钨层厚度约为1000A。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一氮化矽层厚度约为2000A。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二氮化矽层的厚度约为1500A。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第三氮化矽层的厚度约为300A。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第三氮化矽层系以电浆化学气相沈积法形成。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一氧化层厚度约为1500A。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该第一氧化层系以常压化学气相沈积法形成。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该o步骤系以化学机械研磨法去除该第二复晶矽层与该第三复晶矽层,暴露出该第一硼磷矽化玻璃层。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该p步骤系以一缓冲氧化蚀刻剂进行湿式蚀刻。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中蚀刻时间约为400秒。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该第一硼磷矽化玻璃层时,提供一热流温度,该热流温度约为800℃。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第一硼磷矽化玻璃层的厚度约为15000A。16.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二复晶矽层的厚度约为500A。17.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二氧化层厚度约为1500A。18.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二氧化层系以电浆化学气相沈积法形成。19.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第三复晶矽层厚度约为1000A。20.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电膜层系为一二氧化矽层/氮化矽/二氧化矽层结构。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该该介电膜层厚度范围约为50-60A。22.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第四复晶矽层的厚度范围约为500-1000A。图式简单说明:第一图绘示系为动态随机存取记忆体单元的电路示意图。第二图a至第二图d绘示系为习知的动态随机存取记忆体的一种沟槽式电容器的制造方法绘示图。第三图绘示为习知的动态随机存取记忆体的一种叠层式电容结构的剖面示意图。第四图a至第四图j绘示系依照本发明一较佳实施例,一种制造动态随机存取记忆体电容之步骤的剖面示意图。 |
