| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之叠层式电容结构,至少包括:(a)一半导体基底,其上已形成有一金氧半电晶体、一场氧化层与一第一导电层,该金氧半电晶体包括一闸极与一源极/汲极区;(b)该半导体基底上覆盖有一第一绝缘层;(c)在该第一绝缘层上,交互的堆叠至少有一第二绝缘层和一第三绝缘层,系为一多层的结构;(d)在该多层的结构与该第一绝缘层中有一开口,露出该源极/汲极区;(e)在该开口的侧壁上有水平方向的复数个渠沟;(f)在上述各层露出的表面上有一第二导电层,其为一下电极层的结构;(g)在该下电极层上有一介电层;以及(h)在介电层上有一第三导电层,其为一上电极层的结构。2.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第一绝缘层包括二氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第一绝缘层的厚度约在3000埃到约6000埃之间。4.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第二绝缘层包括氮化物层。5.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第二绝缘层的厚度约在3000埃到约6000埃之间。6.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第三绝缘层包括二氧化矽层。7.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第三绝缘层的厚度约在3000埃到约6000埃之间。8.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第二导电层包括掺杂的多晶矽层。9.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第二导电层的厚度约在500埃到约2000埃之间。10.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第三导电层包括掺杂的多晶矽层。11.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第三导电层的厚度约在1000埃到约3000埃之间。12.一种动态随机存取记忆体之叠层式电容的制造方法,至少包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,其上已形成有一金氧半电晶体、一场氧化层与一第一导电层,该金氧半电晶体包括一闸极与一源极/汲极区;(b)在该半导体基底上覆盖一第一绝缘层;(c)在该第一绝缘层上,交互的堆叠至少一第二绝缘层和一第三绝缘层,形成一多层的结构;(d)在该多层的结构与该第一绝缘层中形成一开口,露出该源极/汲极区;(e)蚀刻该第二绝缘层,在该开口的侧壁上形成复数个渠沟;(f)在上述各层露出的表面上形成一第二导电层,并定义该第二导电层的图案,形成一下电极层的结构;(g)在该下电极层上形成一介电层;以及(h)在该介电层上形成一第三导电层,并定义该第三导电层的图案,形成一上电极层的结构。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(b)该第一绝缘层的形成方法为化学气相沈积法。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(c)该第二绝缘层的形成方法为化学气相沈积法。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(c)该第三绝缘层的形成方法为化学气相沈积法。16.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(d)该开口的形成方法为乾蚀刻法。17.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(e)该复数个渠沟的形成方法为湿蚀刻法,以热磷酸为蚀刻剂。18.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(f)该第二导电层的形成方法为化学气相沈积法,并掺杂有离子,以增加导电度。19.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(g)该介电层系为一氧化矽/氮化矽/氧化矽层,其形成方法为先加热长成一氧化矽层,接着形成二氮化矽层,然后进行热氧化的步骤,在氮化矽层上形成一氧化矽层。20.如申请专利范围第12项所述之方法,其中步骤(h)该第三导电层的形成方法为化学气相沈积法,并掺杂有离子,以增加导电度。21.一种动态随机存取记忆体之电容结构,至少包括:(a)一半导体基底,其上已形成有一金氧半电晶体、一场氧化层与一第一导电层,该金氧半电晶体包括一闸极与一源极/汲极区;(b)该半导体基底上覆盖有一第一绝缘层;(c)在该第一绝缘层上,交互的堆叠有至少一第二绝缘层和一第三绝缘层,系为一多层的结构;(d)在该多层的结构与该第一绝缘层中有一开口,且在该开口下方有一第一渠沟;(e)在该开口的侧壁上有复数个第二渠沟;(f)在上述各层露出的表面上有一第二导电层,其为一下电极层的结构;(g)在该下电极层上有一介电层;以及(h)在介电层上有一第三导电层,其为一上电极层的结构。22.一种动态随机存取记忆体之电容的制造方法,至少包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,其上已形成有一金氧半电晶体、一场氧化层与一第一导电层,该金氧半电晶体包括一闸极与一源极/汲极区;(b)在该半导体基底上覆盖一第一绝缘层;(c)在该第一绝缘层上,交互的堆叠至少一第二绝缘层和一第三绝缘层,形成一多层的结构;(d)蚀刻该第三绝缘层、该第二绝缘层和该第一绝缘层而形成一开口,并继续往下蚀刻,在该源极/汲极区中形成一第一渠沟;(e)蚀刻该第二绝缘层,在该开口的侧壁上形成复数个渠沟;(f)在上述各层露出的表面上形成一第二导电层,并定义该第二导电层的图案,形成一下电极层的结构;(g)在该下电极层上形成一介电层;以及(h)在该介电层上形成一第三导电层,并定义该第三导电层的图案,形成一上电极层的结构。图式简单说明:第一图系绘示一种动态随机存取记忆体记忆胞的电路示意图;第二图A至第二图K绘示的为中国台湾专利262587,一种动态随机存取记忆体叠层式电容之制造步骤的剖面示意图;第三图A到第三图F绘示的是根据本发明之一较佳实施例,一种动态随机存取记忆体叠层式电容之制造步骤的剖面示意图;以及第四图A到第四图F绘示的是根据本发明之另一较佳实施例,一种动态随机存取记忆体电容之制造步骤的剖面示意图。 |
