| 主权项 |
1.一种半导体元件,包含:半导体晶片;于该半导体晶片表面上所提供的多数个电极;包括多数个传导图型之绝缘板,该多数个传导图型中每一个的一端从该绝缘板的一边突出,以便作为外部端点;连接装置,用以电性地连接该外部端点至该多数个电极中相对者;以及传导元件,与该多数个传导图型中相对应者电性地接触。2.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该绝缘板是提供于该半导体晶片的该表面上使得该绝缘板的周边部份是位在该多数个电极的邻近。3.如申请专利范围第2项之半导体元件,其中在该绝缘板与该半导体晶片之间提供一弹性黏着层。4.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中在该多数个传导图型中相对应者的末端部份提供一个具有比该多数个传导图型更大宽度的接合区。5.如申请专利范围第4项之半导体元件,其中在相当于该接合区之位置的该绝缘板中提供多数个开孔部份。6.如申请专利范围第5项之半导体元件,其中该传导元件是一凸块,该凸块的一部份被埋入该多数个开孔部份中相对应者以便接触该接合区,并且该凸块的另一部份从该绝缘板突出。7.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该多数个传导图型被埋入该绝缘板内。8.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该外部端点是弯曲的形状。9.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该绝缘板包括一中央孔以及从该绝缘板的该周围朝着该绝缘板的中央部份延伸的诸狭缝。10.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该外部端点的形状是弯曲的形状,以便与该多数个电极中相对应者电性地接触。11.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中在连接该外部端点至该多数个电极中相对应者的部份上提供密封树脂。12.一种半导体元件,包含:半导体晶片;提供于该半导体晶片一表面上的多数个电极;包括多数个传导图型之绝缘板,该多数个传导图型中每个的一端是曝露于该绝缘板的侧表面以便做为外部端点;以及连接装置,用以电性地连接该外部端点至该多数个电极中相对应者。13.如中请专利范围第12项之半导体元件,其中该绝缘板是提供于该半导体晶片该表面上使得该绝缘板的周边部份是位于该多数个电极的邻近。14.如中请专利范围第13项之半导体元件,其中在该绝缘板与该半导体晶片之间提供一弹性黏着层。15.如申请专利范围第12项之半导体元件,其中在连接该外部端点至该多数个电极中相对应者的部份上提供密封树脂。16.一种半导体元件,包含:半导体晶片;提供于该半导体晶片一表面上的多数个电极;绝缘板,包括了配合该绝缘板提供的多数个传导图型,该多数个传导图型中每个的一端具备一接着垫,该垫在该传导板之周围邻近的位置处具有比该传导图型更大的宽度;以及接着导线,连接该接着垫至该多数个电极中相对应者。17.如申请专利范围第16项之半导体元件,其中该绝缘板是提供于该半导体晶片该表面上使得该绝缘板的周边部份是位于该多数个电极的邻近。18.如申请专利范围第17项之半导体元件,其中在该绝缘板与该半导体晶片之间提供一弹性黏着层。图式简单说明:第一图是展示习见的倒装晶片型半导体元件之图面;第二图是展示依据本发明一实施例之半导体元件其立体图的图面;第三图是展示该半导体元件一横截面之图面;第四图是展示该半导体元件一分解图之图面;第五图是展示依据本发明一实施例之绝缘板其平面图的图面;第六图A是展示沿着第五图中所示A-A'线切割所得绝缘板一横截面图之图面;第六图B是展示沿着第五图中所示B-B'线切割所得绝缘板一横截面图之图面;第七图A是展示依据本发明之绝缘板其修正实施例的图面;第七图B是展示依据本发明之绝缘板其修正实施例的图面;第八图是展示依据本发明的绝缘板其修正实施例平面图之图面;第九图是展示依据本发明的绝缘板其修正实施例平面图之图面;第十图是展示依据本发明的绝缘板其修正实施例平面图之图面;第十一图是展示依据本发明的绝缘板其修正实施例平面图之图面;第十二图是展示依据本发明的绝缘板其修正实施例平面图之图面;第十三图是展示依据本发明之外部端点其修正实施例的横截面图之图面;第十四图是展示依据本发明之外部端点其修正实施例的横截面图之图面;第十五图是展示依据本发明之外部端点其修正实施例的横截面图之图面;第十六图是展示依据本发明之外部端点其修正实施例的横截面图之图面;第十七图是展示依据本发明之外部端点其修正实施例的横截面图之图面;第十八图是展示依据本发明之外部端点其修正实施例的横截面图之图面;第十九图是展示依据本发明之外部端点其修正实施例的横截面图之图面;第二十图是展示依据本发明之外部端点其修正实施例的横截面图之图面;第二十一图是展示依据本发明之外部端点其修正实施例的横截面图之图面;第二十二图A是展示依据本发明一实施例之半导体元件其立体图之图面;第二十二图B是展示依据本发明一实施例之半导体元件其立体图之图面;第二十三图是展示依据本发明之外部端点其修正实施例的横截面图之图面;第二十四图是展示依据本发明之外部端点其修正实施例的横截面图之图面;第二十五图是用以解释供产生依据本发明一实施例之半导体元件用的结构及方法之图面;第二十六图是用以解释供产生依据本发明一实施例之半导体元件用的结构及方法之图面;第二十七图是用以解释供产生依据本发明一实施例之半导体元件用的结构及方法之图面;第二十八图是用以解释供产生依据本发明一实施例之半导体元件用的结构及方法之图面;第二十九图是用以解释供产生依据本发明一实施例之半导体元件用的结构及方法之图面;第三十图是用以解释供产生依据本发明之半导体元件用的方法一修正实施例之图面;第三十一图是用以解释供产生依据本发明之半导体元件用的方法一修正实施例之图面;第三十二图是展示依据本发明之密封结构的图面;以及第三十三图是展示依据本发明之密封结构的图面。 |
