| 发明名称 |
RECRISTALLISATION COMPLETE DE PLAQUETTES SEMICONDUCTRICES |
| 摘要 |
L'invention concerne un dispositif et un procédé pour recristalliser une plaquette de silicium ou une plaquette comportant au moins une couche de silicium. La plaquette de silicium ou la au moins une couche de silicium de la plaquette est totalement fondue.
|
| 申请公布号 |
FR2948492(A1) |
申请公布日期 |
2011.01.28 |
| 申请号 |
FR20090055179 |
申请日期 |
2009.07.24 |
| 申请人 |
S'TILE |
发明人 |
STRABONI ALAIN |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/324;H01L21/677;H01L21/687 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
