发明名称 Elektronenabsorberschicht
摘要 <p>Die Erfindung bezieht sich u.a. auf ein Verfahren zum Auftragen einer Elektronenabsorberschicht auf einem Träger. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass eine Elektronenabsorberschicht aus einem Kompositmaterial hergestellt wird, indem der Träger mit einem metallischen Material beschichtet wird und während des Beschichtens in dem metallischen Material Materialeinschlüsse aus einem Zusatzmaterial eingebettet werden. Das Kompositmaterial ermöglicht es beispielsweise, sowohl die Elektronenabsorptionseigenschaften als auch gleichzeitig die thermischen Eigenschaften der Elektronenabsorberschicht separat voneinander zu optimieren. Durch Wahl des metallischen Materials lässt sich beispielsweise der thermische Ausdehnungskoeffizient an den Träger anpassen; mit den eingebetteten Materialeinschlüssen lassen sich beispielsweise die Absorbereigenschaften der Elektronenabsorberschicht separat optimieren. Vorzugsweise enthält das metallische Material Aluminium, Magnesium, Kobalt, Eisen, Chrom, Titan, Nickel, Kupfer oder eine Legierung oder Mischung daraus. Das Zusatzmaterial enthält vorzugsweise eine oder mehrere der folgenden Substanzen: Bor, Kohlenstoff oder Silizium, ein Gemisch dieser Elemente, eine oder mehrere chemische Verbindungen aus oder mit zumindest zwei der genannten Elemente oder ein Gemisch solcher chemischen Verbindungen.</p>
申请公布号 DE102009034360(A1) 申请公布日期 2011.01.27
申请号 DE20091034360 申请日期 2009.07.17
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 FREUDENBERGER, JOERG;STIER, OLIVER
分类号 G21K1/10;G21F1/08;H01J35/16 主分类号 G21K1/10
代理机构 代理人
主权项
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