摘要 |
Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement, das aufweist: eine Driftzone (30), die zwischen einer ersten und einer zweiten Anschlusszone (11, 12) angeordnet ist; eine Kanalsteuerschicht (21) aus einem amorphen semiisolierenden Material, die benachbart zu der Driftzone (30) angeordnet ist.
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