| 摘要 |
1. Прибор, содержащий III-нитридную структуру, содержащую первый слой 22, причем этот первый слой практически не содержит индия, второй слой 26, выращенный поверх первого слоя, причем этот второй слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий, и приборные слои 10, выращенные поверх второго слоя, причем эти приборные слои содержат III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. ! 2. Прибор по п.1, в котором первым слоем 22 является GaN, а вторым слоем 26 является InGaN. ! 3. Прибор по п.1, в котором III-нитридная структура дополнительно содержит третий слой 22, расположенный между первым слоем 22 и вторым слоем 26, причем этот третий слой является немонокристаллическим слоем, практически не содержащим индия. ! 4. Прибор по п.1, в котором III-нитридная структура дополнительно содержит третий слой 26, расположенный между вторым слоем 26 и светоизлучающим слоем, причем этот третий слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий. ! 5. Прибор по п.4, в котором второй слой 32 имеет иное содержание индия, чем третий слой 34. ! 6. Прибор по п.1, дополнительно содержащий слой 35 с градиентным составом, расположенный между светоизлучающим слоем и первым слоем. ! 7. Прибор по п.1, в котором ! светоизлучающий слой имеет объемную постоянную решетки аобъем, соответствующую постоянной решетки свободностоящего материала с таким же самым составом, как и у светоизлучающего слоя, ! светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки аплоскост, соответствующую постоянной решетки светоизлучающего слоя, выращенного в упомянутой структуре, и ! |(аплоскост-аобъем)|/аобъем в светоизлучающем слое соста |
