| 主权项 |
1.一种接触窗的蚀刻方法,适用于一半导体基底,其具有一介电层覆盖在一电晶体与一导电层之上,其中该电晶体的源极/汲极上具有金属矽化物,且该导电层上具有氮化矽罩幕,该方法包括下列步骤:(a)蚀刻该介电层以形成第一开口与第二开口,其中该第一开口用以露出该导电层,且第二开口用以露出该电晶体之源极/汲极区;以及(b)以含有氟氢化碳(CH|^xF|^y)与氧气的电浆沿上述第一开口与第二开口进行过度蚀刻以形成接触窗;其特征在于:过度蚀刻所使用之电浆能穿透氮化矽罩幕,且对金属矽化物具有蚀刻选择性。2.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中步骤(a)与步骤(b)之蚀刻系在一磁场加强型活性离子蚀刻机(MERIE)之反应室进行。3.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中该介电层包括数层以四乙氧基矽烷(TEOS)为反应气体所沈积的氧化层。4.如申请专利范围第3项所述之蚀刻方法,其中该介电层至少包括至一未掺杂氧化层与一掺杂氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中接触窗的深宽比大于8。6.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中步骤(a)该蚀刻所使用之制程气体至少包括:氟化碳(C|^xF|^y)。7.如申请专利范围第6项所述之蚀刻方法,其中步骤(a)该蚀刻所使用之制程气体包括:C|^4F|^8.CO、Ar、O|^2。8.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中步骤(b)该过度蚀刻所使用之制程气体包括:CH|^2F|^2与O|^2。9.如申请专利范围第8项所述之蚀刻方法,其中步骤(b)该过度蚀刻所使用之制程气体更包括:Ar。10.如申请专利范围第8项所述之蚀刻方法,其中氧气的流量为5~10 sccm。 |
