| 摘要 |
1. Устройство, содержащее: ! первый кристалл, содержащий множество электропроводных, продолжающихся через подложку пропускных отверстий (ПОК), причем первый кристалл содержит площадь поверхности; и ! множество вторых кристаллов, каждый из которых содержит множество контактных точек, соединенных с ПОК первого кристалла, причем множество вторых кристаллов расположено так, что они совместно составляют площадь поверхности, приблизительно равную площади поверхности первого кристалла. !2. Устройство по п.1, в котором первый кристалл и множество вторых кристаллов соединены в конфигурации, в которой передняя сторона обращена к задней стороне. ! 3. Устройство по п.2, в котором первый кристалл содержит ЦПУ или логический кристалл. ! 4. Устройство по п.3, в котором множество вторых кристаллов содержит модули запоминающего устройства. ! 5. Устройство по п.3, в котором множество вторых кристаллов содержит модули динамического оперативного запоминающего устройства. ! 6. Устройство по п.1, в котором первый кристалл содержит многоядерный процессор, и множество вторых кристаллов имеет такую конфигурацию, что каждый из множества вторых кристаллов расположен на соответствующих ядрах многоядерного процессора. ! 7. Устройство по п.1, в котором первый кристалл дополнительно содержит множество контактных точек, соединенных с ПОК через электропроводный слой перераспределения, и множество контактных точек каждого из вторых кристаллов соединено с множеством контактов первого кристалла. ! 8. Способ, содержащий: ! размещают множество вторых кристаллов на первом кристалле таким образом, что совместно множество вторых кристаллов составля |
