| 主权项 |
1.一种半导体发光装置,其具有包括在基体上介于p型包覆层与n型包覆层间之活性层的结构,该半导体发光装置包含:至少该p型包覆层与该n型包覆层的其中一个相对于该基体具有晶格失配,该晶格失配系不小于2.010-4且不大于3.010-3或者不小于-1.510-3且不大于-2.010-4。2.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中至少该p型包覆层与该n型包覆层的其中一个相对于该基体具有晶格失配,该晶格失配系不小于3.010-4且不大于3.010-3或者不小于-1.510-3且不大于-3.010-4。3.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该晶格失配在该p型包覆层或该n型包积层之内实际上系均匀的。4.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该晶格失配在该p型包覆层或该n型包覆层之内系变动的。5.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该p型包覆层相对于该基体具有晶格失配,该晶格失配系不小于2.010-4且不大于3.010-3,并且该n型包覆层相对于该基体具有之晶格失配,该晶格失配系不小于-1.510-3且不大于-2.010-4。6.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,更包含介于该p型包覆层与该活性层间之第一光导层,以及介于该n型包覆层与该活性层间之第二光导层。7.如申请专利范围第6项之半导体发光装置,其中至少该第一光导层与该第二光导层的其中一个相对于该基体具有晶格失配,该晶格失配系不小于2.010-4且不大于3.010-3或者不小于-1.510-3且不大于-2.010-4。8.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该活性层具有多重量子井结构。9.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该半导体发光装置系AlGaInP半导体发光装置,并且该基体系GaAs基底。10.如申请专利范围第9项之半导体发光装置,其中该晶格失配系藉由调节形成该p型包覆层与该n型包覆层之AlGaInP的In的含量来达成。11.如申请专利范围第9项之半导体发光装置,其中该晶格失配系藉由调节形成该p型包覆层与该n型包覆层之AlGaInP中Al与Ga全部的含量来达成。12.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该半导体发光装置系折射折射率导膜模半导体发光装置。13.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该半导体发光装置系增益导膜模半导体发光装置。14.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该半导体发光装置系自脉动半导体发光装置。15.一种半导体发光装置,其包括在基体上介于p型包覆层与n型包覆层间之活性层,该半导体发光装置包含:至该p型包覆层与该n型包覆层中至少一个以及该活性层相对于该基体具有晶格失配,该晶格失配系不小于2.010-4且不大于3.010-3或者不小于-1.510-3且不大于-2.010-4。16.如申请专利范围第15项之半导体发光装置,其中至少该p型包覆层与该n型包积层的其中一个以及该活性层相对于该基体具有晶格失配,该晶格失配系不小于3.010-4且不大于3.010-3或者不小于-1.510-3且不大于-3.010-4。17.如申请专利范围第15项之半导体发光装置,其中该晶格失配在该p型包积层、该n型包覆层与该活性层间实际上系均匀的。18.如申请专利范围第15项之半导体发光装置,其中该晶格失配在该p型包覆层、该n型包覆层、或该活性层之内系均匀的。19.如申请专利范围第15项之半导体发光装置,其中该晶格失配在该p型包覆层、该n型包覆层或该活性层间系变动的。20.如申请专利范围第15项之半导体发光装置,其中该p型包覆层相对于该基体具有晶格失配,该晶格失配系不小于2.010-4且不大于3.010-3,并且该n型包覆层相对于该基体具有晶格失配,该晶格失配系不小于-1.510-3且不大于-2.010-4。21.如申请专利范围第15项之半导体发光装置,更包含介于该p型包覆层与该活性层间之第一光导层,以及介于该n型包覆层与该活性层间之第二光导层。22.如申请专利范围第21项之半导体发光装置,其中至少该第一光导层与该第二光导层的其中一个相对于该基体具有晶格失配,该晶格失配系不小于2.010-4且不大于3.010-3或者不小于-1.510-3且不大于-2.010-4。23.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该活性层具有多重量子井结构。24.如申请专利范围第15项之半导体发光装置,其中该半导体发光装置系AlGaInP半导体发光装置,并且该基体系GaAs基底。25.如申请专利范围第24项之半导体发光装置,其中该p型包覆层与该n型包覆层之该晶格失配系藉由调节形成该p型包覆层与该n型包覆层之AlGaInP中In的含量来达成。26.如申请专利范围第24项之半导体发光装置,其中该p型包覆层与该n型包覆层之该晶格失配系藉由调节形成该p型包覆层与该n型包覆层之AlGaInP中Al与Ga全部的含量来达成。27.如申请专利范围第24项之半导体发光装置,其中该活性层之该晶格失配系藉由调节形成该活性层之GaInP中In的含量来达成。28.如申请专利范围第24项之半导体发光装置,其中该活性层之该晶格失配系藉由调节形成该活性层之GaInP中Ga的含量来达成。29.如申请专利范围第15项之半导体发光装置,其中该半导体发光装置系折射折射率导膜模半导体发光装置。30.如申请专利范围第15项之半导体发光装置,其中该半导体发光装置系增益导膜模半导体发光装置。31.如申请专利范围第15项之半导体发光装置,其中该半导体发光装置系自脉动半导体发光装置。32.一种半导体发光装置,其包括在基体上之介于p型包覆层与n型包覆层之活性层的结构,该半导体发光装置包含:该p型包覆层、该n型包积层及该活性层与该基体系品格失配的。33.如申请专利范围第32项之半导体发光装置,其中该晶格失配系不小于2.010-4且不大于3.010-3。34.如申请专利范围第32项之半导体发光装置,其中该晶格失配系不小于于-1.510-3且不大于-2.010-4。35.如申请专利范围第32项之半导体发光装置,其中该p型包覆层相对于该基体具有晶格失配,该晶格失配系不小于2.010-4且不大于3.010-3并且该n型包覆层相对于该基体具有晶格失配,该晶格失配系不小于-1.510-3且不大于-2.010-4。36.一种光学记录及/或再生设备,其使用包括在基体上介于p型包覆层与n型包覆层间之活性层的结构之半导体发光装置做为其光源,该光学记录及/或再生设备包含:至少该p型包覆层与该n型包覆层的其中一个相对于该基体具有晶格失配,该晶格失配系不小于2.010-4且不大于3.010-3或者不小于-1.510-3且不大于-2.010-4。37.如申请专利范围第36项之光学记录及/或再生设备,其中该半导体发光装置系AlGaInP半导体装置,并且该基体系GaAs基底。38.一种光学记录及/或再生设备,其使用包括在基体上介于p型包覆层与n型包覆层间之活性层的结构之半导体装置做为其光源,该光源记录及/或再生设备包含:至少该p型包覆层与该n型包覆层的其中一个以及该活性层相对于该基体具有晶格失配,该晶格失配系不小于2.010-4且不大于3.010-3或者不小于-1.510-3且不大于-2.010-4。39.如申请专利范围第38项之光学记录及/或再生设备,其中该发光装置系AlGaInP半导体装置,并且该基体系GaAs基底。图式简单说明:第一图系根据本发明第一实施例之折射率导膜AlGaInP半导体雷射的剖面图;第二图系根据本发明第一实施例之折射率导膜AlGaInP半导体雷射的能带图;第三图系用以解释制造根据本发明第一实施例之折射率导膜A1GaInP半导体雷射之方法的剖面图;第四图系用以解释制造根据本发明第一实施例之折射率导膜AlGaInP半导体雷射之方法的剖面图;第五图系用以解释制造根据本发明第一实施例之折射率导膜AlGaInP半导体雷射之方法的剖面图;第六图系用以解释制造根据本发明第六实施例之折射率导膜AlGaInP半导体雷射之方法的剖面图;以及第七图系显示使用根据本发明第一、二、三、四、五或六实施例之A1GaInP半导体雷射之光学光碟再生设备的图示。 |
