| 发明名称 | 横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：衬底，所述衬底上的深阱及所述深阱两侧的隔离层；位于所述深阱中的栅极结构；位于所述栅极结构一侧的深阱中的具有阶梯状载流子浓度分布的源区；位于所述栅极结构另一侧的深阱内的接触孔，以及与接触孔处于深阱内一端电连接的漏极；其中，所述漏极与所述源区具有深度差。本发明提供一种新型的LDMOS器件，使其在不增加器件横向距离的基础上，可实现对开态电阻和击穿电压的调整。 | ||
| 申请公布号 | CN101958346A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200910054955.4 | 申请日期 | 2009.07.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：衬底，所述衬底上的深阱及所述深阱两侧的隔离层；位于所述深阱中的栅极结构；位于所述栅极结构一侧的深阱中的具有阶梯状载流子浓度分布的源区；位于所述栅极结构另一侧的深阱内的接触孔，以及与接触孔处于深阱内一端电连接的漏极；其中，所述漏极与所述源区具有深度差。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||