| 发明名称 | 半导体激光器装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体激光器装置，在热沉上以结下方式接合2波长半导体激光器芯片，其中，降低在激光器芯片和热沉之间产生的组装应力，减小2个激光器各自的偏振角。在热沉和2波长半导体激光器芯片的接合中使用SnAg焊料。这时，针对2个激光器的每一个，将从波导的中心起至芯片中心侧的热沉与2波长半导体激光器芯片的接合面的端部的距离、与从波导的中心起至芯片端侧的热沉与2波长半导体激光器芯片的接合面的端部的距离的比分别作为0.69以上1.46以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101958507A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN201010231717.9 | 申请日期 | 2010.07.15 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 高濑祯;多田仁史;前原宏昭;久义浩;佐久间仁 |
| 分类号 | H01S5/02(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;G11B7/12(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体激光器装置，以结下方式将脊型光波导2波长激光器芯片接合于热沉，该脊型光波导2波长激光器芯片在衬底上具有第一激光器部和第二激光器部，在所述第一激光器部和所述第二激光器部之间具有绝缘槽，该半导体激光器装置的特征在于，所述接合中使用的焊料是SnAg焊料。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||