| 发明名称 | SONOS快闪存储器单元及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种SONOS快闪存储器单元及其形成方法，其中SONOS快闪存储器单元包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的场效应晶体管；场效应晶体管的沟道连接源区和漏区，包括靠近漏区的第一沟道区以及靠近源区的第二沟道区；选择栅，形成于所述第一沟道区的表面，依次包括栅介质层、栅电极以及栅电极上的硅化物薄膜层；氧化硅-氮化硅-氧化硅层，至少形成于第二沟道区表面；控制栅，形成于所述氧化硅-氮化硅-氧化硅层表面。本发明所形成的SONOS快闪存储器单元满足了嵌入式系统的存储器阵列对读写性能以及响应速率的需求，且与现有CMOS工艺相兼容，结构简单，易于引出源区、漏区的互连线，便于布线集成形成存储器阵列。 | ||
| 申请公布号 | CN101958326A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200910054977.0 | 申请日期 | 2009.07.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 詹奕鹏;金起準;季明华 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种SONOS快闪存储器单元，其特征在于，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的场效应晶体管；场效应晶体管的沟道连接源区和漏区，包括：靠近漏区的第一沟道区以及靠近源区的第二沟道区；选择栅，形成于所述第一沟道区的表面，依次包括栅介质层、栅电极以及栅电极上的硅化物薄膜层；氧化硅‑氮化硅‑氧化硅层，至少形成于第二沟道区表面；控制栅，形成于所述氧化硅‑氮化硅‑氧化硅层表面。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||