发明名称 | 磁存储装置和磁头装置 | ||
摘要 | 提供一种磁存储装置,将数据记录频率设定在45MHz以上,当构成磁头的记录磁极的磁性膜的厚度为d(μm)、电阻率为ρ(μΦ·cm)、低频区域内的相对导磁率为μ时,使各参量满足μd#+[2]/ρ≤500的关系,从而能将记录磁场的衰减量抑制在10%以下,并能解决写不清的量及重写的值随记录频率的变化而变化的问题,且能使媒体的传输速度达到每秒15兆字节以上,记录数据的面记录密度达每平方英寸500兆位以上。 | ||
申请公布号 | CN1065060C | 申请公布日期 | 2001.04.25 |
申请号 | CN95104717.5 | 申请日期 | 1995.04.21 |
申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 高野公史;北田正弘;铃木干夫 |
分类号 | G11B5/187 | 主分类号 | G11B5/187 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王茂华 |
主权项 | 1.一种磁存储装置,其特征为:包括使媒体数据传输速率达到每秒15兆字节或其以上以及面数据记录密度达500Mb/平方英寸或其以上的装置和使关系式μd2/p≤500在记录频率45MHz下成立的装置,其中d(μm)是形成用于记录数据或用于记录/重现数据的磁头的记录磁极的磁膜厚度,ρ(μΩ·cm)为电阻率,μ为低频区域内的相对导磁率。 | ||
地址 | 日本东京 |