发明名称 磁存储装置和磁头装置
摘要 提供一种磁存储装置,将数据记录频率设定在45MHz以上,当构成磁头的记录磁极的磁性膜的厚度为d(μm)、电阻率为ρ(μΦ·cm)、低频区域内的相对导磁率为μ时,使各参量满足μd#+[2]/ρ≤500的关系,从而能将记录磁场的衰减量抑制在10%以下,并能解决写不清的量及重写的值随记录频率的变化而变化的问题,且能使媒体的传输速度达到每秒15兆字节以上,记录数据的面记录密度达每平方英寸500兆位以上。
申请公布号 CN1065060C 申请公布日期 2001.04.25
申请号 CN95104717.5 申请日期 1995.04.21
申请人 株式会社日立制作所 发明人 高野公史;北田正弘;铃木干夫
分类号 G11B5/187 主分类号 G11B5/187
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王茂华
主权项 1.一种磁存储装置,其特征为:包括使媒体数据传输速率达到每秒15兆字节或其以上以及面数据记录密度达500Mb/平方英寸或其以上的装置和使关系式μd2/p≤500在记录频率45MHz下成立的装置,其中d(μm)是形成用于记录数据或用于记录/重现数据的磁头的记录磁极的磁膜厚度,ρ(μΩ·cm)为电阻率,μ为低频区域内的相对导磁率。
地址 日本东京