一种倒装磷化铝镓铟发光二极管的制作方法

摘要

本发明公开的一种倒装磷化铝镓铟发光二极管的制作方法，在一暂时基板上依次外延生长由缓冲层、截止层、第二导电型欧姆接触层、第二导电型限制层、有源层、第一导电型限制层和第一导电型窗口层构成外延发光层；外延发光层上生长一介质层，定义出切割道图形并蚀刻掉切割道以外的介质层；切割道上的介质层宽度比用于切割的金刚刀刀口宽；在外延发光层上蒸镀一反射镜；永久基板背面和上表面分别制作第一欧姆接触电极和蒸镀接合层；将反射镜与接合层键合，去除暂时基板、缓冲层和截止层；在第二导电型欧姆接触层上制备第二欧姆接触电极；切割形成芯片。本发明能解决切割带来的漏电问题，并且不必蚀刻切割道上的外延层，简化制作工艺，提高工艺稳定性。

主权项

一种倒装磷化铝镓铟发光二极管的制作方法，其工艺步骤如下：1)   提供一暂时基板，在其上依次外延生长由缓冲层、截止层、第二导电型欧姆接触层、第二导电型限制层、有源层、第一导电型限制层和第一导电型窗口层构成外延发光层；2)   在外延发光层上生长一介质层，光罩定义出切割道图形，蚀刻掉切割道以外的介质层；切割道上的介质层宽度比用于切割的金刚刀刀口宽；3)   在上述带有图案化介质层的外延发光层上蒸镀一反射镜，高温熔合连接；4)   提供一永久基板，在其背面制作第一欧姆接触电极；5)   在永久基板上表面蒸镀接合层；6)   将外延发光层的反射镜与永久基板的接合层隔空相对键合在一起，并去除暂时基板、缓冲层和截止层；7)   在第二导电型欧姆接触层上制备第二欧姆接触电极；8)    切割形成芯片。