发明名称 |
一种杨桃状VO<sub>2</sub>组成的多孔纳米板相变材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种杨桃状VO2组成的多孔纳米板相变材料,该多孔纳米板相变材料是由杨桃状VO2纳米结构相互间结合、嵌套生长而构成,其厚度为1-5个微米左右,长宽尺度的范围为10-60微米。本发明还公开了该多孔纳米板相变材料的制备方法。本发明杂质少,操作简便,成本低,高重复性,可适用于大规模的工业生产,在纳米光电子领域和智能温控节能领域具有广阔的应用前景。 |
申请公布号 |
CN101955751A |
申请公布日期 |
2011.01.26 |
申请号 |
CN201010507799.5 |
申请日期 |
2010.10.15 |
申请人 |
华东师范大学 |
发明人 |
尹海宏;郁可;张正犁;汪阳;娄蕾;曾敏;朱自强 |
分类号 |
C09K5/02(2006.01)I;C01G31/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
C09K5/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 |
代理人 |
董红曼 |
主权项 |
一种杨桃状VO2组成的多孔纳米板相变材料,其特征在于,所述多孔纳米板相变材料是由杨桃状VO2纳米结构相互间结合、嵌套生长而构成,其厚度为1‑5微米,长宽尺度范围为10-60微米。 |
地址 |
200062 上海市普陀区中山北路3663号 |