相变存储装置及其制造方法

摘要

一种相变存储装置及其制造方法，包括存储元件、导电接触窗、绝缘元件、下电极以及上电极。存储元件包括位于导电接触窗上的可编程电阻存储材料。绝缘元件包括管状部分，其由导电接触窗延伸至存储元件，且具有近端、远端以及定义出内部的内表面，近端与导电接触窗相邻。下电极接触导电接触窗，且在内部中由近端向上延伸至远端。下电极具有上表面，上表面以第一接触表面接触与远端相邻的存储元件。存储元件使上电极与管状部分的远端分离，且上电极接触以第二接触表面接触存储元件。第二接触表面的表面积大于第一接触表面的表面积。

主权项

一种相变存储装置，其特征在于，包括：导电接触窗；存储元件，包括位于所述导电接触窗上的可编程电阻存储材料；绝缘元件，包括管状部分，所述管状部分由所述导电接触窗延伸至所述存储元件，且所述管状部分具有近端、远端以及定义出第一内部的内表面，其中所述近端与所述导电接触窗相邻；下电极，接触所述导电接触窗，且在所述第一内部中由所述近端向上延伸至所述远端，所述下电极具有上表面，所述上表面以第一接触表面接触与所述远端相邻的所述存储元件；以及上电极，所述存储元件使所述上电极与所述管状部分的所述远端分离，且所述上电极以第二接触表面接触所述存储元件，其中所述第二接触表面的表面积大于所述第一接触表面的表面积。