发明名称 |
UV纳米压印方法、树脂制复制模及其制造方法、磁记录介质及其制造方法和磁记录再生装置 |
摘要 |
本发明提供一种UV纳米压印方法,该方法是在基材上形成了包含紫外线固化性树脂的薄膜的工件上,按压在表面形成有图案的模来进行压缩成形,与所述压缩成形同时地或在所述压缩成形之后照射紫外光,将所述图案转印到所述薄膜上,该方法的特征在于,使用具有温度上升抑制单元的紫外光照射装置照射所述紫外光;所述紫外光照射装置的光源使用热射线不会与紫外光同时被连续放射的光源。 |
申请公布号 |
CN101960559A |
申请公布日期 |
2011.01.26 |
申请号 |
CN200980107948.4 |
申请日期 |
2009.03.06 |
申请人 |
昭和电工株式会社 |
发明人 |
内田博;福島正人;坂田優子 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01)I;B29C59/02(2006.01)I;G11B5/855(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
段承恩;陈海红 |
主权项 |
一种UV纳米压印方法,在基材上形成了包含紫外线固化性树脂的薄膜的工件上,按压在表面形成有图案的模来进行压缩成形,与所述压缩成形同时地或在所述压缩成形之后照射紫外光,将所述图案转印到所述薄膜上,该UV纳米压印方法的特征在于,使用具有工件和模的温度上升抑制单元的紫外光照射装置照射所述紫外光;所述紫外光照射装置的光源使用热射线不会与紫外光同时被连续放射的光源。 |
地址 |
日本东京都 |